2012年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题

2012年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题

一．填空

1.内层电子有效质量比外层电子有效质量__ (大，小）

2.纯硅中掺入硼，在一定温度下，向__移动

A.

n上升，EiF向__移动，

n一定时，温度上升，EiFEV B.

EC C.

E D.EiF

3.深能级位于

Eg中央，对电子的俘获率__(大，小），空穴俘获率__(大，小），它是__(复

合中心，陷阱中心）

4.硅基MOS中，硅衬底与Si

O

2

界面处固定电荷__(正电，负电),表面能带向__弯曲（上，

下），平带电压向__移动（正轴，负轴）

5.热平衡时，

n与__和__有关。

i6.有效复合中心位于_____,有效陷阱中心位于____。

7.MIS强反型表面导电类型与体材料____(相关，不相关），增加降）。

8非简并硅空穴浓度与

n，ViT___(上升，下

ND的关系

A. B

C. D.

9.温度升高，对Pi与Ps的影响

二．1.画出直接复合与间接复试的能带图

2.金属与N型半导体形成阻挡层，反阻挡层能带图，并画出阻挡层的I-V特性曲线

3.理想MIS结构

4.列举几种制作PN结的不同方法

5.比较PN结与SDB有什么不同，VLSI中用哪个，为什么？

三．计算

1.掺杂浓度生率。

2.如图所示为MOS结构的C-V曲线的一部分， ①.判断半导体的类型 ②求氧化层的厚度

③求强反型层，耗尽层的宽度 ④当

N10cm=A/

173,少子寿命?=1?s，将少子全部清除，求电子空穴对的产

?0，

?rs，

?r0

已给出，

Ni上升时，C-V特性曲线如何变化，绘图并解释。

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四.问答

1.什么是直接复合，怎么判断净产生，净复合

2.PN结中雪崩击穿，隧道击穿击穿电压随温度变化的关系，怎么用实验证明是哪种击穿？

3.本征吸收长波限表达式，硅，砷化镓本征吸收跃迁有什么不同，写出选择定则表达式

4.（1）什么是光生伏特效应

（2）PN结太阳电池开路电压

（3）解释PN结注入发光

5.什么是异质结的超注入，高注入现象，具体应用有哪些？

VOC,短路电流

Isc随光强变化的关系