微电子专业05级双专科《微电子工艺》期末考试 A卷答案

该腐蚀剂对不同方法生长的氧化硅有不同的腐蚀速率，低温淀积

的氧化硅比热氧化的腐蚀速率快得多。含硼会使腐蚀速率降低，含磷会使腐蚀速率增大，腐蚀速率增大，腐蚀速率随温度变化，温度越高，腐蚀越快，一般在30到40度范围内腐蚀。

（2）氮化硅的腐蚀：氢氟酸对氮化硅的腐蚀速率比氧化硅慢得多，

而热磷酸正与之相反，在180度热磷酸中氮化硅、氧化硅、硅的腐蚀速率为10nm/min、1nm/min、0.5nm/min。所以常用热磷酸腐蚀氮化硅，由于光刻胶不耐热磷酸腐蚀，必须在氮化硅上淀积一层氧化硅，先刻出氧化硅的图形，以氧化硅作掩蔽膜在180度热磷酸里腐蚀。 3、简述铝的干法刻蚀中，BCl3的作用。 答：在刻蚀气体中假加入BCl3作用有两个：

第一， BCl3与O2及水的反应性好，加入BCl3可以去除等离子体

内的O2及水的含量；

第二， BCl3在等离子体内可形成BClx原子团及BCl+（正离子），

其中BCl+是产生离子轰击的重要离子来源之一。

另外，BClx和氯原子还可以发生以下反应： BClx+Cl——BClx+1

这个反应在没有暴露于离子轰击下的表面进行，如在铝金属膜的侧壁上进行。这个反应，将消耗掉侧壁上的氯原子，使得由于氯原子浓度降低而减少侧面的氯的刻蚀，使得BClx—Cl2等离子体对铝的各向异性刻蚀能力大大增强。

3、 分别阐述溶剂去胶及氧化去胶的原理。 答：（1）溶剂去胶原理如下：

把带有光刻胶的硅片浸在适当的溶剂内，使聚合物膨胀，然后把胶擦去，称为溶剂去胶。去胶剂一般是含有氯的烃化物，如三氯乙烯。但是这些化合物含有较多的无机杂质，因此，会在衬底表面留下微量杂质，可能会引起器件的不稳定。

溶剂去胶的优点是，在常温下进行，因此不会使铝层发生变化。 （2）氧化去胶原理如下：

氧化去胶就是利用氧化剂把光刻胶去掉，常用的氧化剂为硫酸，它能使光刻胶中的碳被氧化而析出。但是，碳的析出要影响硅片的表

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面质量，因此，在硫酸中还要加一些双氧水，使碳被氧化成CO2析出。

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