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第三讲器件仿真 - 图文

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  • 2025/5/6 8:43:50

关键语句是设置肖特基接触

contact name= (char表示接触的名称,用英文字符来表示比如 anode cathode)

workf=

(val表示变量参数,用来设置功函数大小) 这个语句是用来设置肖特基电极的功函数的。

在这个例子里面,因为衬底是亲和能为4.17的n类型硅,所指定的 功函数为4.97,这样提供了一个肖特基势垒的高度为0.8V. 默认的势 垒高度是0. (一个完美的欧姆接触)这个条件是为阴极假定的。

(3)电学仿真简单地将阳极电压以间隔为0.05V升至

1.0V.

语句和参数详解

主要包括三大部分内容

(1)器件编辑语句 region、electrode、doping等 (2)模型与环境设置语句 models method等 (3)电学特性仿真语句 solve 等

#语句1 仿真器调用命令语句 go

调用atlas器件仿真器需要用到go语句:

go atlas

解析: go 用来退出和重新启动atlas仿真器 注意: 这个命令是通过 deckbuild来执行的

mesh ? 语句#2 mesh 语句功能: mesh定义网格信息。类似于athena仿真器中的Line. 语法规则:.MESH LOCATION= [SPACING=] 语句解析: 此语句定义了网格线的位置和间隔。状态有mesh,x.mesh,y.mesh,eliminate 等 参数解析: 参数#1 mesh: MESH INF= 导入由DevEdit创建的器件结构 例如:mesh infile=nmos.str mesh space.mult= , 对网格进行控制, 默认值为1。 定义网格时必须先使用这句来初始化网格。 参数#2:x.mesh和y.mesh定义网格位置及其间隔(line) x.mesh loc=0.1 spac=0.05 mesh ? 参数#3 Eliminate 可以在ATLAS生成的mesh基础上消除掉一些网格线,消除方 式为隔一条删一条 ? 可用参数有columns,rows, ix.low,ix.high,iy.low.ly.high, x.min,x.max,y.min,y.max 例如:Eliminate columns x.min=0.2 x.max=1.4 y.min=0.2 y.max=0.7 Eliminate 前 Eliminate 后

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关键语句是设置肖特基接触 contact name= (char表示接触的名称,用英文字符来表示比如 anode cathode) workf= (val表示变量参数,用来设置功函数大小) 这个语句是用来设置肖特基电极的功函数的。 在这个例子里面,因为衬底是亲和能为4.17的n类型硅,所指定的 功函数为4.97,这样提供了一个肖特基势垒的高度为0.8V. 默认的势 垒高度是0. (一个完美的欧姆接触)这个条件是为阴极假定的。 (3)电学仿真简单地将阳极电压以间隔为0.05V升至1.0V.

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