1章 常用半导体器件题解

第一章

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

图T1.3

解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V， UO6≈－2V。

1.2电路如图P1.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3

解图P1.3 解：ui和uo的波形如解图P1.3所示。

1.6已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。

（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ

＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最

第一章题解－1

小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UO?

RL?UI?3.33V

R?RL 当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最 图P1.9 小稳定电流IZmin，所以

UO＝UZ＝6V 同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。

（2）IDZ?(UI?UZ)R?29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图P1.15

解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。

管号 上 中 下 管型 材料

1.10 电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。

第一章题解－2

T1 e b c PNP Si 解表P1.15 T2 T3 T4 c e b b b e e c c NPN NPN PNP Si Si Ge T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge

解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 （2）当VBB＝1V时，因为 IBQ?

VBB?UBEQRb?60μA

ICQ?? IBQ?3mAuO?VCC?ICQRC?9V所以T处于放大状态。 （3）当VBB＝3V时，因为 IBQ?

VBB?UBEQRb?160μA

图P1.16

ICQ?? IBQ?8mAuO?VCC?ICQRC＜UBE所以T处于饱和状态。

1.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

图P1.19

解：（a）可能 （b）可能 （c）不能

（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能

第一章题解－3