第三章 - CMOS反相器介绍及设计 - 图文

上升时间

?反相器的上升反应时间决定于通过Rp对CL充电的时间

Department of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu

下降时间

?反相器的

下降反应时间决定于通过Rn对CL放电的时间

Department of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu

前级反相器的负载电容约为后级反相器的两个晶体管栅电容之和：

Cl=Cgp+Cgn=Cox(WpLp+WnLn)

VddViVoVddCgpViVoCgnVddViVoClCMOS反相器的传输延迟

由与输出节点相关的微分方程描述

dVoutCL?iC?iD,p?iD,ndt近似处理

dvtp?CL?ivV1??简化的RC充放电近似

V2tp= 0.69 CL(Reqn+Reqp)/2ln(0.5)

Department of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu