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南航考研模拟电子线路(模电)第一章03 - 图文

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电子线路基础1.5.2 绝缘栅场效应管绝缘栅型场效应管: 利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道的宽窄来控制电流的大小。MOS管: 绝缘栅场效应管中,常用二氧化硅(SiO2)作为金属(铝)栅极和半导体之间的绝缘层,又称为金属—氧化物—半导体场效应管。MOS管有N沟道和P沟道两类,而每一类又分增强型和耗尽型两种。2015/12/1613

hongfeng@nuaa.edu.cn

电子线路基础1.N沟道增强型MOS场效应管源极(S)、漏极(D):用P型硅片作为衬底,其中扩散两个N+区,并的引出电极;栅极(G):半导体表面覆盖SiO2绝缘层,绝缘层上再在源区和漏区之间制造的一层金属铝。2015/12/1614hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础2.工作原理1)uGS?UGS(th),uDS?0。反型层:绝缘层下面D、S之间形成的N型导电沟道。开启电压:开始形成反型层时的电压。2015/12/1615hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础2)uGS?UGS(th),uDS增大。在作用下,形成漏极电流iD。导电沟道为梯形; 2015/12/1616hongfeng@nuaa.edu.cn

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电子线路基础1.5.2 绝缘栅场效应管绝缘栅型场效应管: 利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道的宽窄来控制电流的大小。MOS管: 绝缘栅场效应管中,常用二氧化硅(SiO2)作为金属(铝)栅极和半导体之间的绝缘层,又称为金属—氧化物—半导体场效应管。MOS管有N沟道和P沟道两类,而每一类又分增强型和耗尽型两种。2015/12/1613hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础1.N沟道增强型MOS场效应管源极(S)、漏极(D):用P型硅片作为衬底,其中扩散两个N+区,并的引出电极;栅极(G):半导体表面覆盖SiO2绝缘层,绝缘层上再在源区和漏区之间制造的一层金属铝。2015/12/1614hongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础2.工作原理1)uGS?UGS(th),uDS?0。反型层:绝缘层下面D、S之间形成的N

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