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半导体物理习题答案

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  • 2025/6/23 6:08:08

c.如果再掺入少量的磷(设磷的浓度为N3,且N3< N2),两样品的费米能级

又如何变化?

以上问题均应通过公式计算得出结论。

综合练习题九

一、请解释下列各概念(每小题5分,总分20分)

1.间隙式杂质和替位式杂质 2.本征激发 3.热电击穿 4.表面势

二、说明以下各种效应,并说明每种效应的一种应用(每小题7分,总分28分)

1.霍耳效应 2.光生伏特效应 3.珀尔贴效应 4.压阻效应

三、回答下列问题(总分50分) 1.请写出

1) 费米分布函数的表示式,式中各符号的意义及其与温度(T=OK,T>OK)的关系曲线(8分)

2) 在什么情况下,费米分布函数可以用玻尔兹曼分布函数近似。 (10分)

2.解释金属—半导体接触的整流作用(不要求推导公式,要求说明整流作用的物理机制)。 (16分) 3.给出硅样品的受主浓度为

,禁带宽度为1.12eV,

电子亲合能力为3.4eV,求功函数的值。 (16分)

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c.如果再掺入少量的磷(设磷的浓度为N3,且N3< N2),两样品的费米能级又如何变化? 以上问题均应通过公式计算得出结论。 综合练习题九 一、请解释下列各概念(每小题5分,总分20分) 1.间隙式杂质和替位式杂质 2.本征激发 3.热电击穿 4.表面势 二、说明以下各种效应,并说明每种效应的一种应用(每小题7分,总分28分) 1.霍耳效应 2.光生伏特效应 3.珀尔贴效应 4.压阻效应 三、回答下列问题(总分50分) 1.请写出 1) 费米分布函数的表示式,式中各符号的意义及其与温度(T=O

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