INTEL 主板BIOS详解 - 图文

令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着

提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大， 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。参数范围3-11。

tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致

系统不稳定。参数范围3-10。

tRP（Row precharge Delay）：内存行地址选通脉冲预充电时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长，参数小可以减少

预充电时间，从而更快地激活下一行。

但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值

大将提高系统的稳定。参数范围3-10。

tRAS(Row active Delay)：内存行地址选通延迟。即“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应

该增大tRAS的值。参数范围5-20。

tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范

围30-110。

tWR（Write Recovery Time）：写恢复延时。该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发

生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失

及损坏。参数范围1-15。

tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围1-15。

tRRD（Row to Row Delay）：行到行延迟。也称为RAS to RAS delay ，表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现

系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围1-7。

tRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间，这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。参数范围

3-15。

tFAW（DRAM FOUR ACT WIN Time）：内存四项动作成功时间。该选项通常设置为Auto即可，

对性能以及稳定性影响不大。参数范围22-37。

B2B-CAS Delay（DRAM Back-To-Back CAS Delay）：内存背靠背CAS延迟。这个参数控制着DCLKS（数据时钟周期）内CAS和CAS之间的延迟。该数值越小内存性能越好，但也会有

不稳定的风险。参数范围0-18。

上面时序参数的设置与内存条的体质、结构密切相关。具体参数设置可以参考JEDCE标准

提供的参数表。

这是BIOS依据内存条SPD列出的参数值。

3-2、Channel 1 Advance Timing 通道1高级时序

这项设置有Auto、Manual。选择Manual后，又会出现一系列内存参数设置：

下面对各项高级时序参数做简要说明。

tdrRdTRd：在同一条内存条上读不同的行之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质，

设置较小，系统速度加快，但会不稳定。

tddRdTRd：读不同内存条之间的最小延迟。参数值大小取决于内存体质，设置较小，系统

速度加快，但会不稳定。

tsrRdTWr：写入一行后，跟着读取这行的最小延迟。参数值大小取决于内存体质，设置较

小，系统速度加快，但会不稳定。