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MDJ1BD15……BD8BD7……BD0WEMDJ2主存储器电路MAJ1AD7……AD0CE地址总线数据总线WRDIJ2DIJ-Gfin脉冲源DIJ1数据输入电路f/8T3控制总线T3控制开关CEWELARC-G微控器接口WEILARI
图3-5 实验三开关实验接线
2、拨动清零开关CLR,使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。 3、往存储器写数据:
以往存储器的(FF) 地址单元写入数据“AABB”为例,操作过程如下: (操作) (显示) (操作) (显示) (操作) 1.C –G=1 1.C-G=1 地址寄存器2.置数据输入电路 D15—D0= “000000001111 1111” 3.CE=1 4.C-G=0 绿色数据总线显示灯显示 “000000001111 1111” 1.LAR=1 2.T3=1 (按【单步】) 电路黄色地址显示灯显示 “11111111” (显示) (操作) 1.WE=1 绿色数据总线显示灯显示 “1010101010111011” 2.CE=0 3.T3=1 (按【单步】) 4 WE=0 2.置数据输入电路 D15—D0= “1010101010111011” 3. LAR=0 4. C-G=0 4、按上述步骤按表3-2所列地址写入相应的数据 地址(二进制) 00000000 01110001 01000010 01011010 10100011 11001111 11111000 11100110 数据(二进制) 0011001100110011 0011010000110100 0011010100110101 0101010101010101 0110011001100110 1010101110101011 0111011101110111 1001110110011011 表3-2
5、从存储器里读数据:
以从存储器的(FF) 地址单元读出数据“AABB”为例,操作过程如下:
(操作) (显示) (操作) (显示) (操作) (显示) 1.C-G=1 MAR电路黄 1.LAR=1 1. C-G=1 2. 置数据输入电路 绿色数据总线显色地址显示2.T3=1 2. LAR=0 绿色数据总线显D15—D0=示灯显示 灯显示 3. WE=0 (按【单步】) 示灯显示 \” “0000000011111“11111111” 111” “10101010101113.CE=1 4.CE=0 4.C-G=0 011” 6、按上述步骤读出表3-2数据,验证其正确性。
八.试验结果与注意事项
试验结果:读入的数据与读出的数据一致。
注意事项:已制成的RAM芯片读些时序关系已被确定,因此,将它与CPU连接时,必须注意他们相互之间的时序匹配关系,否则RAM将无法正常工作。不论是对存储器进行读操作还是写操作,在读周期和写周期内,地址线始终不变。 九、总结
往存储器的单元里写入数据步骤为:选择地址-输入数据。 查找数据时,到相对应的地址进行查找。 我们组选择以下三组数据进行实验。 地址(二进制) 11001111 01110001 10100011 按实验步骤依次选择地址-输入数据。
从存储器读取数据时,输入地址 11001111读取到的数据为1010101110101011 输入地址01110001 读取到的数据为0011010000110100 输入地址 10100011读取到的数据为0110011001100110 所得实验数据与理论数据对应无误,所得结果正确。
数据(二进制) 1010101110101011 0011010000110100 0110011001100110
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