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一、 选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分,共14分) 1. 已知常温下UT?26mV,二极管D正偏电压UD=0.6V,电流ID=0.8mA,其交流电阻rD=
( )。
A. 750? B. 32.5? C. 375? D. 16.25? 2. BJT放大电路中,测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V、12.2V、0V,据此可
判定BJT为( )型三极管,其三个电极中①为( )极。
A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3. 图1所示共射放大电路,设静态时ICQ?5mA,晶体管
饱和管压降UCES?0.6V,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止
B. 饱和
?ui?RbRc3kΩ?VCC(?12V)C2C1??RL3kΩuO?C. 顶部 D. 底部
4. 在图1所示电路中,已知晶体管的??100,rbe?1k?,
图1 图2Ui?20mV;静态工作时UBEQ?0.7V,UCEQ?5V,IBQ?20uA,相应的电压增
益为( )。
100?3??300 15?????250 C.Au-320?10???A.Au??? B.Au
100?1.5??150 1???5??7.14 D.Au0.75. 根据不同器件的工作原理,试判断( )可以构成复合管。
(A)(B)(C)(D)
6. 在设计两级放大电路的过程中,要求输入电阻Ri约为150kΩ,电压放大倍数的数值
?约为100,第一级电和第二级电路应采用( )。 AuA. 共集电路;共射电路 B.共基电路;共射电路 C. 共集电路;共基电路
D. 共射电路;共射电路
7. MOS FET构成的两级放大电路,总电压增益Au?2000倍,其中第一级的电压增益为
20倍,则第二级的电压增益为( )。
A.10dB
B. 20dB
C. 40dB
D.100dB
?滞后U?8. 对于单管共射放大电路,若其上、下限频率分别为fH、fL,当f?fL时,Uoi( )。
A.180? B.135? C.90? D.45?
??10k?,反馈系数F??9.9mS,开环输入电阻9. 某负反馈放大电路,其开环增益Aiuui??800?,可推算出其闭环输出电阻Ro?f=( )Ro。
A. 800k?;
B. 80k?; C.80?; D. 8?
10. 负反馈放大电路中,如需要从信号源获得更大电流,并稳定输出电压,应引入( )
负反馈。 A. 电压并联
B. 电压串联
C. 电流串联 D. 电流并联
11. 已知输入信号的频率为20-20kHz,为了防止干扰信号混入,因选用( )滤波电
路;为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路。 A. 低通
B. 高通
C.带通 D. 带阻
二、填空题(共8题,每空1分,共16分)
12. 电路如图2所示,二极管的导通电压UD?0.7V,则图
中二极管D1的工作状态 ,输出电压值为 。
13. 现有两只稳压管,它们的稳定电压分别是5V和8V,正
图15VRD13VD23V+UO_图2 向导通电压为0.7V,将它们并联可以得到两种稳压值 , 。
14. 在三种组态(共基、共射、共集)放大电路中,带负载能力最强的为 组态;输入电阻最低的为 组态。
15. 场效应管属于______控制型器件,栅极的电流几乎等于零,所以共源放大电路的输入
电阻通常比共射放大电路的输入电阻要_______。
16. MOS FET构成地基本共源放大电路,FET的低频跨导gm?3mA/V,漏极负载
Rd?30k?,放大电路的负载RL?30k?,则放大电路的电压增益Auu?____ dB。
17. RC耦合放大电路中,当耦合电容容量减少时,下限截止频率fL将 ,放大电路
通频带BW将 。
18. 桥式整流、电容滤波电路,电容量足够大时,接电阻负载正常输出直流电压UO?36V,
若滤波电容开焊,则输出直流电压UO1?_____ V;若有一个二极管和滤波电容同时开路,则输出直流电压UO2?____ V。
19. 在图3所示为基本串联型稳压电源中,如果输出电压Uo的变化范围是10~20V,
R1?R3?1k?,那么R2?____ k?,Uz?_____ V ;如果考虑电网电压波动为
?10%,UCES=3V,UI至少选取_____ V。
图3
三、分析计算题(共70分)
20. 电路如图4所示:(6分)
(1) 为使电路产生正弦波振荡,标出集成运放的“+”和“-”,并说明电路是哪种正弦
波振荡电路;
Rf?Rw?接入电路部分的下限值; (2) 求解Rw(3) 求解电路振荡频率的调节范围。
21. 放大电路如图5所示,电路中的电容对交流信号可视为
短路。(10分)
(1) 求电路的静态工作点(写出
达式);
R12kΩC0.01μFR1R220kΩAuoR110kΩ10kΩ0.01μFR2C100kΩ图4
?VCCIBQ
、
ICQ
、
UCEQ的表
C1+R1R3+C2C3+R2++?、(2) 求电压放大倍数A输出电阻Ro(写u输入电阻Ri、
出表达式);
(3) 若C3开路,则电压放大倍数、输入电阻、输出电阻
如何变化(增大、减小还是不变)?
T4uI?uO?RLRiRo图5
22. 电路如图6所示,已知Cgs?Cgd?5pF,gm?5mS,C1?C2?Cs?10μF.试求fH,fL?的表达式。(8分) 各约为多少,并写出AusRd10kΩC1+++VDDC2+10μFRs12kΩ+10μFRL3.3kΩCs10μFuouIRg1MΩRs21kΩ+us--图6
23. 电路如图7所示,所有晶体管均为硅管,?均为60,rbb'?100?,静态时
UBEQ?0.7V。试求:(8分)
(1) 静态时T1管和T2管的发射极电流;
(2) 若静态时uO?0,则应如何调节Rc2的值才能使uO?0?若静态时uO?0,则
Rc2??,电压放大倍数为多少?
Rc2T1T2R2kΩRe4500?T4?VCC(?12V)+ui_+uOT3Re310kΩDZ图7
10kΩ+Rc43.7V???VEE(?6V)
24. 电路如图8所示:(10分)
(1) 分别说明A1和A2各构成哪种
基本电路;
??A10.01μFR3uo1R2R120kΩ20kΩR450kΩ?8VC?A2uo?R5
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