电子元器件失效分析

电压精度高，用于模拟电路、数字电路

信号注入、信号寻迹 http://www.kekaoixng.com 接触性探针，需去钝化层 有负载，波形易变形 空间分辨率差 交流电压、脉冲电压 电压精度低，用于数字电路 信号寻迹

非接触性探针，不需去钝化层 无负载，波形不变形 空间分辨率高

由设计版图确定电子束探测点用波形比较法进行设计验证 http://kekaoxing.com/club

用EBT进行失效分析实例 80脚进口HD63B03微处理器单元 手工焊正常

载流焊，90％发生多脚开路 失效原因 改进建议

80脚进口HD63B03微处理器单元失效分析 引线框架密封不良的IC的反射声学显微图象 http://kekaoxing.com/club

以测量电流效应为基础的失效定位技术 红外热象技术 用途：热分布图，定热点 光发射显微镜 用途：微漏电点失效定位 栅氧化层缺陷，pn结缺陷，闩锁效应 电子束感生电流象 用途：pn结缺陷 改进前后的混合电路热分布图 FPGA

EMM确定CMOS电路闩锁效应易发区 单端输出束感生电流象（EBIC） EBIC的用途：用SEM观察pn结缺陷 传统EBIC用双端输出，每次只能观察一个结

单端输出EBIC可同时观察芯片所有pn结的缺陷，适用于VLSI失效分析 例某CMOS电路的EBIC 原理

CMOS电路的束感生电流象 http://kekaoxing.com/club

封装内部气体成份分析 露点检测 质谱分析结果

样品 JK256 792 3DG13014 3DG13062 氮气 ％ 99.9 52.2 99.0 96.1 水汽 ％ 0.02 38.2 0.21 0.56 http://www.kekaoixng.com

用SEM进行VLSI金属化层晶粒结构的定量分析 1.定量分析的重要性

适当增大晶粒尺寸可增加铝金属层抗电迁移能力

定量测定VLSI铝金属化层晶粒尺寸，有助于控制工艺条件，制备高可靠的铝金属化层 用SEM进行VLSI金属化层晶粒结构的定量分析 2.定量分析方法

SEM图象数字分析软件，可统计出金属化层任意区域不同晶粒尺寸范围的晶粒数目，用于VLSI金属化工艺的统计工艺控制，是观念上的创新。 www.kekaoxing.com

固态器件微区化学成份分析 技术指标 EDAX AES SIMS

原子序数检测范围 N>5 N>2 全部 灵敏度（％） 1 0.1 10－4 深度分辨率（nm） 1000 1 1 横向分辨率（nm） 1000 300 1000 kekaoxing.com

ISP在过电应力作用下金属化层的热电迁移照片和连接物的能谱分析结果 X射线能谱分析确定铝金属桥接 聚焦离子束技术 用途：

1 制备探测通孔，实现多层布线VLSI的下层金属节点的电压和波形测试

2 为对准下层金属制备通孔，可同时显示CAD设计版图和芯片实时图象，可根据版图确定钻孔部位。

3 在VLSI芯片上进行线路修改，省去重新制板和流片的手续，加快产品研制 用FIB制备探测通孔 聚焦离子束技术

4 为观察内部缺陷，对样品进行局部剖切面 5 扫描离子显微镜可用于形貌观察