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数字系统设计与Verilog HDL

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  • 2025/7/15 17:51:16

(1)熔丝(Fuse)

(2)反熔丝(Antifuse)编程元件

(3)紫外线擦除、电可编程,如EPROM。

(4)电擦除、电可编程方式,(EEPROM、快闪存储器(Flash Memory)),如多数CPLD (5)静态存储器(SRAM)结构,如多数FPGA 按编程元件和编程工艺分类

PLD器件的原理结构图 2.2 PLD的基本原理与结构

PLD电路符号表示

与门、或门的表示

PLD连接表示法

PLD的输入缓冲电路

简单阵列的表示

p20 PROM

PROM表达的PLD阵列图

p21 PROM

用PROM完成半加器逻辑阵列

F0?A0A1?A0A1F1?A1A0

p22

2.5 FPGA的原理与结构 查找表结构

4输入LUT及内部结构图 p23

习 题

2.1 PLA和PAL在结构上有什么区别?

2.2 说明GAL的OLMC有什么特点,它怎样实现可编程组合电路和时序电路? 2.3 简述基于乘积项的可编程逻辑器件的结构特点? 2.4 基于查找表的可编程逻辑结构的原理是什么? 2.5 基于乘积项和基于查找表的结构各有什么优缺点?

2.6 CPLD和FPGA在结构上有什么明显的区别,各有什么特点? 2.7 FPGA器件中的存储器块有何作用? p24

第3章 Quartus II集成开发工具

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(1)熔丝(Fuse) (2)反熔丝(Antifuse)编程元件 (3)紫外线擦除、电可编程,如EPROM。 (4)电擦除、电可编程方式,(EEPROM、快闪存储器(Flash Memory)),如多数CPLD (5)静态存储器(SRAM)结构,如多数FPGA 按编程元件和编程工艺分类 PLD器件的原理结构图 2.2 PLD的基本原理与结构 PLD电路符号表示 与门、或门的表示 PLD连接表示法 PLD的输入缓冲电路 简单阵列的表示 p20 PROM PROM表达的PLD阵列图

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