09-10-1集成电路原理A卷16K

南 京 信 息 职 业 技 术 学 院 试 卷

2009/ 2010学年第_一_学期期{末}考试卷A . 题 答 ：号学 止 禁 ：名姓内 线 ：级封班密

课程名称： 集成电路原理 考试时间：100分钟 命题人 董西英 2009 年 12月 26 日

审批人 年 月 日 使用班级： 30831P 808212P 考试成绩： 。

题号 一 二 三 四 五 六 总分 阅卷人 得分 一．

填空（每空一分，共20分）

1、 集成度提高的三个主要技术因素是（ ），

（ ）及芯片集成效率结构和工艺设计改进提高。 2、 双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS

型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。

3、 互补MOS逻辑集成电路由下拉网络和上拉网络组成，其中上拉网络为

（ ）器件，下拉网络为（ ）器件。

4、 衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、

（ ）。

5、 增强型PMOSFET满足( ), 则该管饱

和；增强型NMOSFET管满足( ), 则该管工作在可变电阻区，沟道两头都是（ ）的，其沟道电阻

与其宽长比成（ ）比。

6、 N沟器件的好处是电子表面迁移率比空穴表面迁移率（ ），所

以NMOS电路的工作速度比PMOS电路（ ）

7、 带缓冲级的CMOS门电路，输出驱动能力仅由该输出端的

（ ）决定，与各输入端所处的（ ）。

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8、 差模放大器放大有用的（ ）信号，对各种共模信号具有良好

的共模抑制作用。β、VBE、ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声，这些变化均是（ ）信号。差模放大器输入失调电压的温漂与输入失调电压本身成（ ）比

9、 模拟IC对元件参数的精度和（ ）要求较高，因此在版图和工艺设计中

需重视对元件的（ ）设计

二 问答题 （50分）

1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图，

（1）画出其中的寄生晶体管位置、寄生晶体管和NPN晶体管的电连接电路图。（4分），

（2）当NPN管工作于饱和区时寄生晶体管工作在什么区？简述理由。对集成电路有影响吗？ （6分）

（3）工艺上如何减小有源寄生效应（4分）。 （ 共14分）

图1

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题

2、（1）画出标准TTL与非门逻辑电路图（3分）。

（2）简述当输入为高电平时的工作原理（要说明各个管子的工作状态并

答标出每个基极和集电极的电位）（6分）。

（3）STTL与非门电路比6管单元TTL与非门电路作了那些改进（2分）?

止提高了电路的什么性能（2分）? （共13 分）

禁内线封密

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3、 （1）画出互补CMOS反相器电路图（2分）

（2）简述其工作原理（6分）。

（3）要使反相器噪容最大、输出波形对称需满足什么条件？设计最小特征尺寸为0.5微米，μn/μP=2时器件尺寸（4分） （共 12 分）

4、如何提高差分放大器的共模抑制比？ （6分）

5、模拟IC中对扩散电阻器的要求是什么？（3分）

6、说出差分放大器输入失调电流的定义。（2分）

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