噶米《模拟电子技术基础》第三版习题解答第4章集成运算放大电路题解

1V和－10μV、－100μV、－1mV、－1V时，uO分别为1V、10V、14V、14V、－1V、－10V、－14V、－14V。

4.3 已知几个集成运放的参数如表P4.3所示，试分别说明它们各属于哪种类型的运放。

表P4.3

特性指标 单位 A1 A2 A3 A4 Aod dB 100 130 100 100 rid MΩ 2 2 1000 2 UIO mv 5 0.01 5 2 SR －3dBfH KCMR 单位增益带宽 nA nA Hz dB V/μV MHz 200 600 7 86 0.5 2 40 7 120 0.5 0.02 0.03 86 0.5 5 20 150 96 65 12.5 IIO IIB 解：A1为通用型运放，A2为高精度型运放，A3为高阻型运放，A4为高速型运放。

4.4 多路电流源电路如图P4.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，UBE均为0.7V。试求IC1、IC2各为多少。

图P4.4

解：因为T1、T2、T3的特性均相同，且UBE均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等，设集电极电流为IC。先求出R中电流，再求解IC1、IC2。 IR?VCC?UBE4?UBE0?100μA

RIR?IC0?IB3?IC0?

3IC3IB?IC?1??? (1??)?2??IC?2?IR????3

当β（1＋β）＞＞3时

IC1?IC2?IR?100μA

4.5 图4.5所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。已知集电极C0与C1所接集电区的面积相同，C2所接集电区的面积是C0的两倍，ICO/IB= 4，e-b间电压约为0.7V。试求解IC1、IC2各为多少

图P4.5

解：多集电极晶体管集电极电流正比于集电区的面积。

先求出R中电流，再求解IC1、IC2。

VCC?UEB?200μA (其中UEB?0.7V)RIIR?IC?IB?IC0?C0IR?? IC0?? IR?160μA 1??

IC1?IC0?160μAIC2?2IC0?320μA

4.6 电路如图P4.6所示，T管的低频跨导为gm，T1和T2管d-s间的动态电阻分别为rds1和rds2。试求解电压放大倍数Au=△uO/△uI的表达式。

图P4.6

解：由于T2和T3所组成的镜像电流源是以T1为放大管的共射放大电路的有源负载，T1、T2管d-s间动态电阻分别为rds1、rds2，所以电压放大倍数Au的表达式为 Au?

4.7 电路如图P4.7所示，T1与T2管特性相同，它们的低频跨导为gm；T3与T4管特性对称；T2与T4管d-s间动态电阻为rds2和rds4。试求出两电路的电压放大倍数Au=△uO/△(uI1－uI2)的表达式。

?uO?uI???iD(rds1∥rds2)?uI??gm(rds1∥rds2)

图P4.7

解：在图（a）（b）所示电路中

?iD1???iD2??iD3??iD4?iO??iD2??iD4??iD2??iD1??2?iD1 ?iD1?gm??(uI1?uI2)2?iOgm???(uI1?uI2)

图（a）所示电路的电压放大倍数

Au?

?uO?(uI1?uI2)?(uI1?uI2)

???iO(rds2∥rds4) ?gm(rds2∥rds4)同理，图（b）所示电路的电压放大倍数 Au?gm(rds2∥rds4)

4.8 电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。 （1）说明电路中各晶体管的作用；

（2）若输入差模电压为（uI1－uI2），则由此产生的差模电流为△iD，求解电路电流放大倍数Ai的近似表达