电工学试题

114.

半导体中有[] 和[] 两种载流子参与导电，其中[]带正电，而 []带负电。 自由电子，空穴，空穴，自由电子

115.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。

2U?(?10?6)V?2V?0.7VPN2?0.5解：首先假定二极管断开，求得，所以V管导通，

10?6.76.7I?(?)mA?3.25mAD0.52UA = (6+0.7)V = 6.7V，。

116.电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视

为短路；ui为正弦波，有效值为10mV，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？

C+uiR1kOVDD4ViDV－

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解：二极管的直流电流为

V?U4?0.7)VDDD(I???3.3mADR1k?

动态电阻

U26mVTr???7.9?dI3.3mAD

故其交流电流有效值

U10mViI???1.27mAdr7.9?d。

计算的最后结果数字： ID = 3.3mA，rd =7.9Ω，Id = 1.27mA

117.

三极管工作在放大区时，发射结为[]偏置，集电结为[]偏置。 正向，反向

118.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。

10U?(?10)V?7V?0.7VPN10?3解：首先假定二极管断开，求得，所以V管导通。此时

10?UU?0.73.95?0.7AU?A?AI?()mA?1.63mAD3102，求得UA = 3.95V，2

118.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成[] 型半导体，其多子为[]，少子为[]。 N，

自由电子，空穴

119. PN结正偏是指P区电位[]N区电位。 高于

120.温度升高时，二极管的导通电压[]，反向饱和电流[]。 减小，增大

121.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成[] 型半导体，其多子为[]，少子为[]。 N，自由电子，空穴

发光二极管通以[]就会发光。光电二极管的[]随光照强度的增加而上升。 正向电流，反向电流

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122.光电二极管能将[]信号转换为[]信号，它工作时需加[]偏置电压。 光，电，反向 123.构成稳压电路时，与稳压管串接适当数值的[]方能实现稳压。 限流电阻 124.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的[] 特性来实现的。 反向击穿 125.硅管的导通电压比锗管的[]，反向饱和电流比锗管的[]。 大，小

126.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，[]型二极管适用于高频、小电流的场合，[]型二极管适用于低频、大电流的场合。 点接触型，面接触型

127.纯净的具有晶体结构的半导体称为[]，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为[]。 本征半导体，杂质半导体

128.普通二极管工作时通常要避免工作于[]，而稳压管通常工作于[]。 反向击穿区，反向击穿区

(BR)CEO?20VCM?20mACM?100mW某三极管的极限参数I、P、U。当工作电压

UCE?10VCE?1V时，工作电流IC不得超过 [] mA；当工作电压U时， IC不得超过[] mA；

C?2mA当工作电流I时， UCE不得超过[]V 。 10，20，20

129.PN结在[]时导通，[]时截止，这种特性称为[]。 正偏，反偏，单向导通性

某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得IA=2mA，IB=0.04mA，IC=2.04mA，则电极[]为基极，[]为集电极，[]为发射极；为[]型管；??[]。

130. B,A,C,PNP,50

131.PN结的内电场对载流子的扩散运动起[]作用，对漂移运动起[]作用。 阻碍，促进 132.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极[]为基极,[]为集电极， 2 为发射极，为[]型管。 3,1,PNP

133.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中[]是可逆的，而[]会损坏二极管。 电击穿，热击穿

三极管电流放大系数β反映了放大电路中[]极电流对[]极电流的控制能力。 基，集电 双极型半导体三极管按结构可分为[]型和[] 型两种，它们的符号分别[]和[]。

134. NPN,PNP

图中三极管均为硅管，试求各电路中的IC、UCE及集电极对地电压UO。

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135.

(6?0.7)VIE??1.96mA2.7kΩ解：（a）

C?IE?1.96mA I

UCE?(12?6)V?1.96mA?(5.1?2.7)kΩ?2.71V UO?12V?1.96mA?5.1kΩ?2V

(12?2?0.7)VIE??1.66mA5.6kΩ（b）

C?IE?1.66mA I

??UCE??UEC??(12?6)V?1.66mA?(5.6?3)kΩ??3.72V

UO??6V?1.66mA?3kΩ??1.02V

计算的最后结果数字：

O?2V（a） IC ≈ 1.96mA，UCE ≈ 2.71 V，U O??1.02V（b） IC ≈ 1.66mA，UCE ≈ - 3.72V，U

136.[]在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 T 137.当温度升高时，三极管的参数β会 增大 ，ICBO会 [] ，导通电压会[]. 增大 ,减小(降低)

关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是[]

(BR)CEO?U(BR)CBO?U(BR)EB(BR)CBO?U(BR)CEO?U(BR)EBA. U B. U (BR)CBO?U(BR)EBO?U(BR)CE(BR)EBO?U(BR)CEO?U(BR)CB138.C. U D. U B

三极管当发射结和集电结都正偏时工作于[]状态。

A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 C 杂质半导体中[]的浓度对温度敏感。

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