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第一章晶体二极管和二极管整流电路测试卷

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  • 2025/12/10 13:21:12

晶体二极管及整流电路练习题

一、选择题:(每题2分,共20分)

1、PN结外加正向电压时,其空间电荷区( )。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 2、稳压二极管稳压时,其工作在( ),

A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 D.不确定 3、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。 A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ,反向电阻小 C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大 ?12V4、电路如下图所示,设二极管D1,D2,D3 的正向压降忽略不计,则输

RD出电压uO =( )。 0V1uA . -2V B. 0V C. 6V D. 12V 6V-DD5、( )关于晶体二极管的正确叙述是:

?2VA 普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。

B 普通二极管发生热击穿,不发生电击穿。

C 硅稳压二极管只发生电击穿,不发生热击穿,所以要串接电阻降压。 D 以上说法都不对。 6、( )关于滤波器,正确叙述是:

A 电容滤波器电路的电容量越大,负载越重,输出直流越平滑。 B 电容量越小,负载越重,输出电压越接近脉动电压峰值。

C电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用,使负载电流的脉动程度减小,从而使输出电压平滑。

D 电感量越大,产生的自感电动势越大,滤波效果越差。 7、( )如图,电源接通后,正确说法为 A H1、H2、H可能亮。 B H1、H2、H都不亮。

C H1可能亮,H2、H不亮。 D H1不亮,H2、H可能亮。 8、( )如图,V为理想二极管

V

A A V导通,VAB=0V。 3K B V导通,VAB=15V。 15V C V截止,VAB=12V。 12V B D V截止,VAB=3V。

9、( )二极管两端加上正向电压时 A 一定导通 B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 10、( )在测量二极管反向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会: A 变大 B 变小 C 不变化 D 不能确定

二、判断题:(每题1分,共15分)

1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起,就会形成PN结。

O23+2、( )P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、( )P型半导体带正电,N型半导体带负电。 4、( )硅二极管门坎电压是0.3V,正向压降是0.6V。 5、( )硅的导通电压为0.3V,锗的导通电压为0.7V 。 6、( )二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。 7、( )二极管只要加上了正向电压,就一定能导通。 8、( )二极管正向使用时不能稳压。 9、( )电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。 10、( )电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器,常选用于负载电流较小的场合。 11、( )稳压二极管一般工作在反向击穿区。 12、( )稳压管的动态电阻越小,稳压性能越好。 13、( )单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。 14、( )单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。 15、( )单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的2倍。 三、填空题:(每空1分,共23分) 1、二极管的伏安特性指 和 关系,当正向电压超过 _____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。 2、二极管的重要特性是 ,具体指:给二极管加 电压,二极管导通;给二极管加 电压,二极管截止。

3、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部 ;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的 性能越好。。 4、如图,V1、V2为理想二极管。

V1 V1状态 ,V2状态 。

A VAB= V 1K 12V V2 6V

B 5、如图,V为理想二极管。

V V状态 ,

A VAB= V R 6V

12V B

6、如图,V1、V2为硅稳压二极管,若Vi足够大,则输出电压 R + + 7V VO= V

VVo I

7V - -

7、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量,若两次读数都为∞,则此二极管_____;若两次读数都接近零,则此二极管_____________;若读数一次很大,一次读数小,则此二极管______________。

8、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D1处于 状态, D2处于 状态, 输出电压Uo为 伏。

四、分析判断题

1、硅稳压二极管,稳定电压如图所示,当VI足够大时,计算各VO值。(8分) R

R + + + +

8V 8V VI Vo VI Vo

7.5V 7.5V - - - -

VO=________________ VO=_______________

R R + + + +

8V 8V VI Vo VI Vo 7.5V 7.5V - - - -

VO=________________ VO=_______________

2、如图,V1、V2为理想二极管。(6分)

+12V +3V V1 A V2 R R 3V

S P 12V B

VAB= S合上时,VP= S断开时,VP=

五、计算分析题 (共28分)

1、在桥式整流电路中,已知VL=9V,IL=1A。求:(6分)

1)电源变压器次级电压V2;

2)整流二极管承受的最大反向电压VRM; 3)流过二极管的平均电流IV。

2、桥式整流电路中,若:(8分)

1)V1内部短路,会出现什么现象? 2)V1虚焊,会出现什么现象? 3)V1方向接反,会出现什么现象?

4)若四只二极管的极性全部接反,对输出有何影响?

3、电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。(6分)

4、单相桥式整流、电容滤波电路。用交流电压表测得变压器副边电压V2 = 20V。 现在用直流电压表测量RL两端的电压Vo,如果出现下列几种情况时,试分析哪些是合理的? 哪些表明出了故障?并指出原因。(8分)

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晶体二极管及整流电路练习题一、选择题:(每题2分,共20分) 1、PN结外加正向电压时,其空间电荷区( )。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 2、稳压二极管稳压时,其工作在( ), A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 D.不确定 3、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。 A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ,反向电阻小 C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大 ?12V4、电路如下图所示,设二极管D1,D2,D3 的正向压降忽略不计,则输RD出电压uO =( )。 0V1uA . -2V B. 0V C.

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