电工与电子技术(二)练习

92、用555定时器构成的单稳态触发器，当电源电压UDD=12V，外接R=100kΩ，C=10uF时，输出脉冲宽度tPH= 1.1ms ，电容C的转折电压（最高电压）为 8V ，要求触发负脉冲的宽度（填定性关系） 小于 输出脉冲的宽度，输出脉冲的频率（填定性关系） 等于 触发脉冲的频率。

93、存储器ROM和RAM基本结构的最大相同点是 都有地址译码器和存储矩阵 ，存储器ROM和RAM功能上两个最大不同点是（1） ROM只能读出信息而不能写入信息；RAM可以随时读写信息 ，（2） ROM断电时不会丢失信息，RAM断电时会丢失信息 。

94、为构成4096×8的RAM，需要 8 片1024×4的RAM，并且要有 12 位地址译码，以完成寻址操作。

95、为了构成4K×16位的RAM，需要 8 块1K×8位的RAM，地址线的高 2 位由译码器地址输入端承担，，地址译码使用的是 2线4线 译码器。

96、试分析题96图所示电路扩展后的RAM有 10位 地址码，有 1K 字，每字有 16 位，有 1K×16 存储单元。

97、试分析图6所示电路扩展后的RAM有 12位 地址码，有 4K 字，每字有 8 位，有 4K×8 存储单元。

98、A/D转换器的转换精度是指 分辨率 和 转换误差 两个指标。

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99、某倒T形电阻网络4位D/A转换器，设参考电压UREF??8V,RF?R, 则输出模拟电压的最小值为 0.5V ，输出模拟电压最大值为 7.5V 。 二、选择题

1、在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加的是（ C ）。 A、所有载流子 B、多数载流子 C、少数载流子 D、正负离子 2、P型半导体的多数载流子是（ A ）。

A. 空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 3、N型半导体的多数载流子是（ B ）。

A. 空穴 B. 自由电子 C. 正离子 D. 负离子 4、N型半导体（C ）。

A、带正电 B、带负电 C、呈中性 D、无法确定 5、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（ D ）。 A 、右移 B、左移 C、上移 D、下移 6、 PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（ B ）。 A、只从P区流向N区 B、等于零 C、只从N区流向P区 D、无法判别

7、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 A、电子 B、空穴 C、三价硼元素 D、五价磷元素

8、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ B ）。 A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 9. 电路如图所示，其输出波形为（ B ）。

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10、电路如题10图所示，二极管为理想元件，已知ui=6sinωt V， U=3 V，当ωt=

?瞬间，输出电压uo为( C )。 2A、0 V B、3 V C、6 V D、9 V

11、电路如题11图所示，u2?102sin?tV，二极管D承受的最高反向电压为（ C ）。 A 、102V B 、10 V C、 202V D、 20V

12、稳压二极管电路如题12图所示，稳压管稳压值UZ=6.3V，正向导通压降UD=0.7V，其输出电压为（ A ）。 A．7V B．24V C．5．6V D．1．4V

13、判断题13图所示电路中二极管是否导通和输出电压值（ D ）。 A. DZ1.DZ2均导通，U0?0.7V B. DZ1导通DZ2不通，U0?0.7V C. DZ2导通DZ1不通，U0?12.7V D. DZ2导通DZ1不通，U0?5.3V

14、 电路如题14图所示，设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V,输出电压U0为（ C ）。 A. 13V B. 8V C. 5V D. 无法确定

15. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4Ｖ，与某电阻串联后其两端施加的电压分别为+5Ｖ（正向偏置）和－5Ｖ（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ C ）。 A +5Ｖ和-5Ｖ B -5Ｖ和+4Ｖ C +4Ｖ和-0.7Ｖ D +0.7Ｖ和-4Ｖ 16、NPN型和PNP型三极管的区别是（ D ）。

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A、由两种不同的材料硅或锗构成； B、掺入的杂质不同； C、导电的载流子不同； D、P区和N区的位置不同。 17、双极型晶体管的控制方式为（D）。

A、输入电流控制输出电压 B、输入电压控制输出电压 C、输入电压控制输出电流 D、输入电流控制输出电流 18、场效应晶体管的控制方式为（ C ）。

A、输入电流控制输出电压 B、输入电压控制输出电压 C、输入电压控制输出电流 D、输入电流控制输出电流

19、共射三极管各极对地的电压为VB= -0.3V，VC= -5.1V，VE= -0.1V，则该三极管结构及工作状态为（ D ）。 A、NPN型放大 B、PNP型饱和 C、NPN型饱和 D、PNP型放大

20、某三极管各极对地的电压为VB= －6.3V，VC= －4V，VE= －7V，则该三极管结构及工作状态为（ A ）。 A、NPN型放大 B、PNP型饱和 C、NPN型饱和 D、PNP型放大

21．如果工作在放大电路中的三极管电流如题21图所示，若穿透电流可忽略，则三极管三个管脚从左向右分别为（ B ）。 A．B－C－E B．B－E－C C．C－E－B D．E－C－B

22、对于基本共射放大电路，当RC增大时，其输出电阻（ C ）。 A、不变 B、减小 C、增大 D、无法确定 23、对于基本共射放大电路，负载RL减小时，输出电阻（ C ）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、无法确定 24、场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的（ A ）。 A、电场 B、磁场 C、电流 D、以上均否 25、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是（ A ）。 A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏 C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏

26、三极管放大电路中，静态工作点的合理设置与否影响到电路能否正常工作及性能如何。共射电路中，

若静态工作点设置过低，在输入信号增大时放大器会首先产生 （ C ）。

A、交越失真 B、饱和失真 C、截止失真 D、不能确定的失真

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