晶体管原理复习(1)

6．晶体管的频率响应延迟时间，即信号从发射极输入，从集电极输出的信号延迟时间为

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1)试说出每个时间因子所代表的物理含义，并写出相关公式 2)要提高频率响应特性应采取什么措施？

7．下图为某BJT的电流放大倍数的频率特性示意图， 1）定义截止频率，特征频率。

2）写出截止频率，特征频率之间的关系式。

8．双极晶体管的开关过程即晶体管从饱和区向截止区转换的过程，试定性描述晶体管的开关过程。

9.画出理想BJT的低频、高频小信号等效电路图CH3: MOSFET 1． 名词解释：

平带电压，阈值电压，亚阈值电流，沟导电导，沟导跨导，短沟道效应,DIBL效应、热载流子效应、本体穿通，等比例缩小，CMOS器件的闩锁效应。

2。下图为一MOS器件半导体表面电荷密度随表面势的变化关系示意图，试在图上标出积

累区，耗尽区，弱反型区，强反型区。

3．下图为某半导体薄膜的C-V示意图 1）判断该半导体的导电类型

2）定性说明高频C-V形成的物理过程。 3）低频，高频C-V曲线差异的形成原因。

4。简明叙述MOSFET的工作原理。

5．在推导MOSFET的电流-电压方程时作了哪几点假设?对于短沟道MOSFET这些假设是否合理，为什么？

6．画出n沟道增强型，n沟道耗尽型，p沟道增强型，p沟道耗尽型MOSFET的结构示意图，输出特性曲线，转移特性曲线。

7．已知MOSFET阈值电压的表达式为

2?sqNA(2ΨB?VBS) VT?VFB?2ΨB?C0

试述控制阈值电压的因素有哪些。

8.画出理想MOSFET共源连接的低频、高频小信号等效电路。