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太阳能电池的生产工艺的现状与发展

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  • 2025/12/2 20:08:31

化硅和磷单质。而当环境中有外来的氧气时,就会和扩散源分解出的无氯化磷进一步反应生成五氧化二磷和氯气,因此在扩散制结环节中,可以通入适量的氧气来促进扩散制结的进行。而在三氯氧磷的分解过程中也会在单晶硅片的表面不断累积下五氧化二磷,进而和硅片发生反应生成一层磷硅玻璃,并且磷还会不断向外进行扩散。

等离子边缘刻蚀

对于单晶硅片而言,其在经过了扩散处理之后,在其正面以及边缘处都形成一个扩散层,而该扩散层在正面存在是十分必要,而在边缘存在则是需要去掉的,因此进行单晶硅太阳能电池的边结绝缘刻蚀对于降低单晶硅太阳能电池的漏电量是单晶硅太阳能电池的生产环节中一个十分必要的环节。在单晶硅太阳能电池的边缘刻蚀环节上是通过高频的辉光放电进行反应,从而使反应气体被激活为活性粒子,而这些活性粒子则是需要刻蚀的地方。等离子在和这些部位接触后,就会和硅片发生反应,继而将挥发性反应物四氟化硅去除,达到边缘腐蚀的效果。

去磷硅玻璃

在去磷硅玻璃环节需要现将槽内的液体给以替换为清水,然后在氟氢酸槽放入80升的水,然后在向槽中添加含量密度在48.9-19.25之间的氟氢酸。而随着去磷硅玻璃环节的不断进行,氟氢酸会不断被消耗,进而其浓度会逐渐降低。因此在实际的工业生产中,为了保障去磷硅玻璃能够顺利的进行,需要每经过六小时向槽内的液体进行一次替换,而喷淋槽以及清洗槽的纯水则需要每12小时更换一次。

PECVD镀减反射膜

PECVD镀减反射膜是单晶电池生产中最为重要的一个环节,PECVD所指的是化学气相沉积减反射膜,具体而言即SiNx减反射膜。在单晶硅电池太阳能电池上镀上一层SiNx减反射膜可以极大程度上提升单晶硅太阳能电池的太阳能吸收效率,此外还可以在氢原子的钝化效果下,实现单晶硅太阳能电池开路电压以及短路电流的大幅度提升,是单晶电池环节中提升电池性能的一个重要措施。单晶电池生产过程中的化学气相沉积减反射膜其工作的原理是使用低温等离子体作为镀膜的动力提供者,并且在此基础上将石墨加入到硅片中,通过加热反应条件进行加热,并且需要在化学气相沉积减反射膜的过程中通入一定量的其他成分与其中,具体的成分为氮气、暗器以及四氢化硅气体,并且采用辉光放电技术在镀膜中产生等离子体。在经过一系列的离子反应以及化学反应后,就会在单晶硅太阳能电池硅片的表面形成一层十分稳定的固态薄膜,该过程的具体反应式为:NH3+SiH4→SixNyHz+H2↑

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丝网印刷电极

丝网印刷电极环节的基本原理为使用网版上的网口作为渗透孔,进而在施加外界压力的条件下,使浆料能够通过渗透孔进一步渗透到单晶硅太阳能电池的硅片上。而在对电极进行丝网印刷的过程中主要需要使用到的材料有刮刀、网版、印刷机、浆料以及硅片几者。印刷步骤为首先使用Ag/AL的背印刷电极并且给以烘干,进而使用Ag/AL浆背电场并烘干,最后使用Ag/AL浆印刷正电极。

烧结

烧结环节是单晶硅太阳能电池生产的最后一个环节。烧结环节就是为了降低系统内的自由能,在烧结的过程中颗粒会出现一系列的变化:接触—结合—自由收缩—空隙排除—晶体性能提升等。而在经过烧结的这一系列环节之后,单晶硅太阳能电池体系内的自由能便可

以最大程度上的实现降低,系统的整体稳定性得到了进一步的提升,其中厚膜粉系统也经过烧结环节后变得更为密实。

展望

基于目前我国低碳经济和绿色经济的发展主轴,发展太阳能产业是未来我国的能源发展的一个必然趋势,而在太阳能产业中单晶硅电池又是其中占比最大,最有前景的一个分支。从目前太阳能电池领域的发展方向来看,柔性太阳能电池将成为未来光伏领域的重要应用,这种太阳能电池可以制作在塑料基底或纺织物(如帐篷、衣服等)上。除了易于形变的特点,其生产工艺的温度始终控制在120度以下,具有良好的工业生产远景。然而,我们应该清楚的认识到光伏电池技术发展的最初动力是为了缓解能源、环境的压力,为人类幸福生活服务。因此,光伏电池的发展思路应该是可持续性的,而不是仅仅把它看作一项阶段性的能源技术。

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化硅和磷单质。而当环境中有外来的氧气时,就会和扩散源分解出的无氯化磷进一步反应生成五氧化二磷和氯气,因此在扩散制结环节中,可以通入适量的氧气来促进扩散制结的进行。而在三氯氧磷的分解过程中也会在单晶硅片的表面不断累积下五氧化二磷,进而和硅片发生反应生成一层磷硅玻璃,并且磷还会不断向外进行扩散。 等离子边缘刻蚀 对于单晶硅片而言,其在经过了扩散处理之后,在其正面以及边缘处都形成一个扩散层,而该扩散层在正面存在是十分必要,而在边缘存在则是需要去掉的,因此进行单晶硅太阳能电池的边结绝缘刻蚀对于降低单晶硅太阳能电池的漏电量是单晶硅太阳能电池的生产环节中一个十分必要的环节。在单晶硅太阳能电池的边缘刻蚀环节上是通过高频的辉光放电进行反应,从而使反应气体被激活为活性粒子,而这些活性粒子则是需要刻蚀的地方。等离子在和这些部位接触后,就会和硅片发生反应,继而将挥发性反应物四氟

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