模电复习题

第一章 一、填空题

1．N型半导体的电子浓度 空穴浓度；PN结加反向电压时，空间电荷区 将 。

2．稳压管的稳压区是其工作在 。

3．当温度升高时，三极管的发射结导通压降将 。

4. 利用半导体材料的某种敏感特性，如 特性和 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。

5. 双极型三极管的电流放大作用是较小的 电流控制较大的 电流，所以双极型三极是一种电流控制元件。

6. 测得三极管各管脚对地压分别为UC=0.4V，UB=1.0V，UE=0.3V，则其工作 于 状态。

7. 发光二极管的发光颜色取决于 。

8. 用万用表测量某电路中二极管的正极电位为2V，负极电位为1.3V，则二极管所处的状态是 ，材料为 。

9.在某放大电路中，用万用表测得某三极管三个极的正常工作电压分别为10.3V、 11V、3V，则该三极管工作在 状态。

10. 结型场效应管是利用 电压来影响导电沟道，从而控制电流的大小；绝缘栅型场效的栅极电流IG≈ ，输入电阻很 。

11.用直流电压表测某电路中晶体管的三个电极对地的电压分别为10.3V、 11V、3V，则该管为 型，三个管脚分别为 极。 12. 本征半导体掺入五价元素成为 半导体。

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13. P型半导体中的多数载流子是 ，N型半导体的多数载流子是 。 14.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 15. 当温度升高后, 二极管的正向电压 ，反向电流 。 16. 本征半导体掺入三价元素成为 半导体。

17. P型半导体中的多数载流子是 ，少多数载流子是 。 18. 当PN结正偏时 , 空间电荷中载流子的扩散运动 漂移运动 19. 本征半导体掺入特定杂质后成为 半导体。

20. N型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。 21 当PN结反偏时 , 空间电荷中载流子的扩散运动 漂移运动 二、单项选择题

1. 用电压表测放大电路中某晶体管电极1,2, 3的电位各为V1=2V ,V2=6V ,V3=2.7V,则( )。

A.1为e 2 为b 3为c B. 1为e 2 为c 3为b C. 1为b 2 为e 3为c D. 1为b 2 为c 3为e 2.检查放大电路中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（ ）。

A. IBQ B. UBE C. ICQ D. UCEQ 3. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D.以上都不是。 5 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D.以上都不是

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三、简答题

1. 判断图2所示电路中晶体管是否有可能工作在放大状态，说明理由。

2. 电路如图1所示，已知二极管为理想元件，ui＝10sinωt(v)，画出ui与uO的波形。

第二章 一、填空题

1. 画放大器交流通路时，耦合电容、旁路电容和直流电压视为 。 2. 影响放大器工作点稳定的主要因素是 。

3. 在单管NPN放大电路中输入正弦信号，在示波器上观察到

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输出波形如右图所示，则产生该现象的原因是 。

4. 工作在放大区的晶体管三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，则此三极管的β值约为 。

5. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 。

6. 阻容耦合放大电路可以有效的放大 信号。 7.可以说任何放大电路都有功率放大作用。（ ） 8.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。( ) 二、单项选择题

1. 在基本放大电路中。如果NPN管的基极电流iB增大，则与此相应（ ） A.输入电压Ui减小 B.发射极电流iE增大 C. 发射极电流iE减小

2.直接耦合放大电路能放大（ ）信号；阻容耦合放大电路能放大（ ）信号。 A.直流 B.交，直流 C.交流 D.以上都不是。 3. 共集电极放大电路的电压增益（ ）

A.取决于输入信号 B.大约为1 C.取决于晶体管的β D.以上都不是 4. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。

A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.以上都不是

5.可以放大电压，也能放大电流的是（ ）组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 差放

四、计算题 (要求物理参量书写规范，适当加入文字说明)

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