图解半导体制程概论1

●自由电子（free electrons）

束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。

●空穴（hole）

在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的Si原子移动过来，同时在邻接的Si原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si原子移动过来。在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动，刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动

的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。

█ 添加掺杂物质的逆流地导体与电子及空穴

将第V族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会形成1个自由电子

且成为N型半导体。

将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会产生缺少一个电子

的地方且成为P型半导体。

●N型半导体（N type Semiconductor）

N型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子，称为“施体（donor）“。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载子）。

作为N型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑

●P型半导体（P type Semiconductor）

在P型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受体（acceptor）”。

受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。

作为P型掺杂物质使用的元素有：B 硼；in 锌

█ 漂移电流及扩散电流

流动于半导体体中的电流有两种：漂移电流与扩散电流。MOS型半导体中漂移电流起着很重要的作

用，而双极型半导体中扩散电流的作用很重要。

●漂移电流（drift current）

与电阻体（哭）相同，由于外加电压所产生的电场，因电子和空穴的电性相吸引而流动所产生的电

流。场效应管（FET）内流动的电流称为漂移电流。