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干法腐蚀工艺培训讲义
目 录
基本概念
干法腐蚀基本原理
常用材料的等离子体腐蚀原理与工艺 在线干法腐蚀设备结构/原理简介 干法腐蚀工艺中的终点检测 干法去胶
在线腐蚀工艺中常见异常及处理方法
第一章 基本概念
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1． WHAT IS ETCHED？
A process for removing material in a specified area through chemical reaction and/or physical bombardment.
2. WHAT WE ETCHED? 1) Dielectric (oxide,nitride,etc.) 2) Silicide (polysilicon and silicide) 3) Silicon(single crystal silicon) 4) Metal(AL.Cu.Si)
3. WHAT IS ETCH RATE?
腐蚀速率是指所定义的膜被去除的速率，单位通常用UM/MIN，A/MIN 来表示。 4.E/R UNIFORMITY
表示一个圆片中不同点腐蚀速率的差别（WITHIN A WAFER）或两个以上圆片片与片之间的腐蚀速率差异（WAFER TO WAFER。）
如：假定一个圆片片内测试了5个点，那就有5个速率值
UNIFORMITY=（MAX ETCH RATE—MIN ETCH RATE）/2/（AVERAGE ETCH RATE）*100% 5. SELECTIVITY
是指两种不同膜的腐蚀速率比。选择比反应腐蚀过程中主要被腐蚀膜对另一种膜的影响（光刻胶，衬底等）
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6. ISOTROPY---各向同性
腐蚀速率在纵向和横向上相同。 7．ANISOTROPY---各向异性 腐蚀速率在纵向和横向上不一样。
8．CD---（CRITICAL DIMENSIONS）关键尺寸 CD LOSS---条宽损失
9．LOADING---负载效应 MICROLOADING（微负载效应）---不同的孔尺寸或纵深比例对腐蚀速率和选择比的影响。
MACROLOADING（宏负载效应）--不同的暴露面积影响腐蚀速率差异。 10．PROFILE ---剖面形貌
第二章 干法腐蚀基本原理
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干法腐蚀又称等离子腐蚀。根据设备腔体结构的不同，可分为：①圆筒型等离子腐蚀②平行板等离子腐蚀③平行板反应离子腐蚀④反应离子束腐蚀⑤离子束铣腐蚀等。本文主要介绍等离子腐蚀和反应离子腐蚀的基本原理。
一、 等离子体腐蚀
等离子腐蚀是依靠高频辉光放电形成的化学活性游离基与被腐蚀
材料发生化学反应的一种选择性腐蚀方法。
气体中总存在微量的自由电子，在外电场的作用下，电子加速运
动。当电子获得足够的能量后与气体分子发生碰撞，使气体分子电离发出二次电子，二次电子进一步与气体分子发生碰撞电离，产生更多的电子和离子。当电离与复合过程达到平衡时，出现稳定的辉光放电现象，形成稳定的等离子体（PLASMA）。等离子体中包括有电子、离子、还有处于激发态的分子，原子及各种原子团（统称游离基）。游离基具有高度的化学活性，正是游离基与被腐蚀材料的表面发生化学反应，形成挥发性的产物，使材料不断被腐蚀。
等离子腐蚀设备可以分为筒式和平板式两种。
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