当前位置:首页 > 频率调制预习报告
(一) 频率调制实验预习报告
一、实验目的
1、了解变容二极管调频电路的组成与基本工作原理;
2、进一步掌握实现调频的方法及其电路组成;
3、掌握调频电路的调整与测量方法。
二、实验仪器
低频信号发生器 高频信号发生器 数字频率计 直流稳压电源 数字万用表 双踪示
波器 高频毫伏表
三、实验原理
1、频率调制(FM)的一般原理 频率调制,就是用低频调制信号去控制高频载波的频率,是高频载波的振幅不变,而瞬时频率随调制信号线性变化。
st 设调制信号: v??t??V?mco?载波振荡电压为: vc?t??Vcmcos?ot 根据定义,调频时载波的瞬时频率??t?随???t?成线性变化,即 ??t???o?KfV?co?st??o???co?st
(t) 为: 瞬时相位? (t)???(t)dt??ct? ? 0tkfV?m?sin?t
则调频波的数字表达式如下:
KfV?m????m????vt?Vcos?t?sin?t?Vcos?(t?sin?t) cmcmc?c?????或 v?t??Vcmcos??ct?Mfsin?t? 式中:它与调制信号的振幅成正比。比例常数kf???kfV?m 是调频波瞬时频率的最大角频偏,
亦称调制灵敏度,代表单位调制电压所产生的频偏。 式中:Mf?kfV?m????m???fF称为调频指数,是调频瞬时相位的最大偏移,它的大小
反映了调制深度(Mf可以大于1,Mf越大抗噪声性能越好,但要占据更大的信号带宽)。由上公式可见,调频波是一等幅的疏密波,可以用示波器观察其波形。
2、变容二极管直接调频电路 变容二极管是单项导电器件。在反偏时,它的PN结呈现一个与反向偏压有关的结电容
Cj,
C利用其特性可使振荡频率随外加电压?而变化,实现调频。j与?的关系曲线是非线性的,所以变容二极管电容图所示。
CjCC属于非线性电容。j受反向偏压控制的特性曲线,简称j-?曲线,如下
CjoCj?v(1?)nVB。式中Cjo为变容二极管在零 变容二极管结电容与外加电压的关系可表示为:
偏时的电容值;VB是变容二极管的势垒电位差(硅管约为0.7V,锗管约为0.2~0.3V);n位变
n?1~6V3?是变容二极管的外加偏压,;包括静态工作电压Q和调制信号电压v?,
容指数,通常即
v??(VQ?v?),且
v??VQ。
时,
当
v??[vQ?v?(t)]??[VQ?V?mcos?t]Cj?(1?Cj(0)VQ?v?VB?)nCjQ(1?mcos?t)n (1)
CjQ其中
Cj(0)V?m?;m?VVQ?VB(1?Q)nVB。 为加在变容管两端的电压
CjQv??VQ时变容二极管的结电容,即静态工作点处的结电容;
m为结电容调制深度的调制指数,称为电容调制度。
当振荡器的振荡回路中仅包含一个电感L和一个变容二极管(等效电容为调制信号v?(t)?V?mcos?t,振荡频率可表示为
Cj)时,若设
f(t)?fc(1?mccos?t) (2)
n2fc? 其中由
12?LCjQ,是当v??0时的振荡频率,即调频电路中心频率(载波频率),其值
VQ控制,f(t)称为瞬时角频率。
公式(2)称为调频特性方程。只有当n?2时,才能实现线性调频,此时角频偏为
?w(t)?wcv??v?VB?VQ (3)
在n?2时,调频过程将产生非线性失真。不过,如果V?m较小,且线性失真很小,此时有
1nnfosc(t)?fc[1?nmcos?t?(?1)m2cos2?t]242(4)
VQ合适的话,调频非
由上式可以得到调频波的线性角频偏为
?f(t)?nm?cnfcnfccos?t?V?mcos?t???22(VB?VQ)2(VB?VQ)?fm?nmfc2 (6)
(5)
最大线性频偏
Sf?调频灵敏度
?fmnfc?V?m2(VB?VQ) (7)
中心频率偏离量
?fc?nn(?1)m2fc82 (8)
为了提高直接调频中心频率的稳定性和调制线性,在直接调频的LC正弦振荡电路中,一般采用下图电路。
C??C1?C2CjC2?Cj (9)
由此可以得到单频率调制是,回路总电容随v?(t)变化关系为
C??C1?C2CjQnC(21?mcos?t)?CjQ?C1?C2CjQnC(21?x)?CjQ (10)
相应的调频特性方程为
?osc(x)?1?LC?1L(C1?C2CjQC2(1?x)n?CjQ) (11)
当C1、C2确定后,根据(11)可以求出变容二极管部分接入时直接调频电路提供的最大频偏为
?fm?nmfc2p (12)
fc?式中
12?L(C1?C2CjQC2?CjQ)
p?(1?p1)(1?p2?p1p2)
p1?
CjQC2;
p2?C1CjQ
Sf?调频灵敏度
?fmnfc?V?m2(VB?VQ)p (13)
调频灵敏度和上式(7)相比减小了p倍。
共分享92篇相关文档