小型风光互补路灯控制器毕业论文

部的若上拉电阻有效。当在Flash ROM编程时，由P0端口接收指令字节；在校验程序时，则输出指令字节。在验证时，要求要外接上拉电阻。

P1 端口（P1.0～P1.7对应于1～8引脚）。P1端口是一个带内部上拉电阻的8位的双向I/O端口。P1的输出缓冲器可以驱动4 个TTL的输入。当对端口写入1 时，内部的上拉电阻会把端口拉到高电平，这时端口可以当做输出使用。当P1端口作输入口使用时，因为内部有上拉电阻，那些被外部拉低的引脚会输出一个电流（IIL）。

除此之外，P1.0端口 和P1.1端口还可以作为定时器/计数器2的外部计数输入（P1.0/T2）和定时器/计数器2 的触发输入（P1.1/T2EX）用，具体参见下表：

当在对Flash ROM 编程或者程序校验时，P1端口接收低8位的地址数据。 引脚号 P1.0 功能特性 T2（定时器/计数器2外部计数输入），时钟输出 P1.1 T2EX（定时器/计数器2捕获/重装触发和方向控制） 表2-1 P1.0 和P1.1引脚复用功能

P2 端口（P2.0～P2.7，21～28 引脚）：P2 口是一个带内部上拉电阻的8 位双向I/O 端口。P2 的输出缓冲器可以驱动（吸收或输出电流方式）4 个TTL 输入。对端口写入1 时，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，这时可用作输入口。P2端口作为输入口使用时，因为有内部的上拉电阻，那些被外部信号拉低的引脚会输出一个电流（IIL）。

如果在访问外部程序存储器或者16位地址的外部数据存储器（例如执行“MOVX @DPTR”指令）的时候，P2端口将送出高8位地址。当在访问8位长度地址的外部数据存储器（如执行“MOVX @R1”指令）的时候，P2端口引脚上的数据内容（就是专用寄存器（SFR）区中的P2口寄存器的内容），在整个访问期间内是不会改变的。

当在对Flash ROM 编程和程序校验的期间内，P2端口也将接收高位地址及一些控制信号。

P3端口（P3.0～P3.7对应于10～17 引脚）。P3端口是一个带有内部上拉电阻的8 位的双向I/O端口。P3端口的输出缓冲器可以驱动（吸收或输出电流方式）4 个TTL输入的信号。当对端口写入“1”时，它内部的上拉电阻会把端口拉到高电平，此时P3端口可用作输出口。当P3端口做输入口使用时，因为有内部的上拉电阻，那些被外部信号拉低的引脚会输入一个电流（IIL）。

当在对Flash ROM编程或程序校验时，P3端口还接收一些控制信号。 P3口除作为一般I/O 口外，还有其他一些复用功能，如下表所示： 引脚号 P3.0 P3.1 P3.2 P3.3 P3.4 P3.5 P3.6 P3.7 复用功能 RXD（串行输入口） TXD(串行输出口) INT0(外部中断0) INT1(外部中断1) T0(定时器0的外部输入) T1(定时器1的外部输入) WR(外部数据存储器写选通) RD(外部数据存储器读选通) 表2-2 P3 口引脚复用功能复用功能

RST（9 引脚）：复位引脚。当通过此引脚给单片机连续输入两个机器周期以上的高电平信号时为有效，此引脚的功能为用来完成单片机的复位初始化操作。当看门狗计时完成后，RST复位引脚输出96个晶振周期的高电平信号。特殊寄存器AUXR（地址8EH）上的DISRTO 位可以让此功能无效。DISRTO在默认状态下，复位高电平有效。

ALE/ ROG（30引脚）：地址锁存控制功能：（ALE）引脚是当访问外部程序存储器的时候，锁存低8位地址的输出脉冲。当在Flash 编程时，此引脚（ROG）也可以用作编程输入脉冲。

通常情况下，ALE引脚是以晶振六分之一的固定频率输出脉冲的，它可以用来当做外部定时器或者时钟来使用。只是需要注意的是，在每次访问外部数据存储器的时候，ALE的脉冲将会跳过。

如果需要，可以通过将地址位8EH的SFR的第0位置“1”，ALE操作将无效。这一位置“1”，ALE仅在执行MOVX 或MOV指令时有效。否则，ALE将被微弱拉高。这个ALE使能标志位（地址位8EH的SFR的第0位）的设置对微控制器处于外部执行模式下无效。：

（PSEN）是外部程序存储器的选通信号。当单片机从外PSEN(29引脚)：

部程序存储器执行外部代码时，PSEN会在每个机器周期被激活两次，而访问外部数据存储器的时候，PSEN将不被激活。

EA/VPP （31引脚）：访问外部程序存储器的控制信号。：为了使能从0000H到FFFFH的外部程序存储器的读取指令，EA必须接地（GND）。注意加密方式为1时，EA将内部锁定为RESET。为了执行内部程序指令，EA应该接VCC。在Flash 编程期间，A也接收12伏特的VPP电压。

XTAL1（19引脚）：振荡器的反相放大器和内部时钟发生电路的输入端。 XTAL2（18引脚）：振荡器的反相放大器的输入端。

第二节 锂电池智能充放电芯片

HT3582DA锂电池充电芯片是一款内置基准电压的万能充电器的控制芯片，它具有自动识别电池极性和短路保护以及过温保护等功能。此芯片有如下特点：

1.内置基准电压源，空载时会稳压输出，不需要用任何外围元器件来调整空载电压。

2.芯片支持普通的三灯模式或者二灯模式及七彩灯模式。 3.芯片的最大充电电流：300mA。

4.芯片支持对0V电池的充电（电池正接）。

5.当电池快要充满电时会自动切换到恒压充电模式，使电池可以充得更满。 6.芯片能自动识别电池的极性。 7.芯片具有短路保护功能。 8.芯片还有过温保护功能。

9.芯片的集成度高，应用时只需接极少的外围器件即可应用。 HT3582DA锂电池充电芯片脚位图及说明见表2-3。 序号 名称 描述

1 2 3 4 5 BTN L3 L2 L1 SW 电池负极 指示灯L3引脚 指示灯L2引脚 指示灯L1引脚 功能选择（接VDD为3灯和2灯模式，接GND为七彩模式） 6 7 8 GND BTP VDD 电源负极（地端） 电池正极 电源正极 表2-3 HT3582DA各个脚位描述

HT3582DA锂电池充电芯片典型参数见表2-4。（除特殊说明外，所有参数均在室温下直流测得，并以GND 端电位为 0 电位）

参数名称 输入电压 空载电压 饱和电压 参数符号 VDD Vo Vs 测试条件 － VDD=5V～8V VDD=5V～8V VDD=5V, |VBTP-VBTN|=3.6V 最小值 5 4.15 4.17 － - 典型值 － 4.23 4.25 300 1 最大值 8 4.30 4.32 单位 V V V 充电电ICHARGE 流 短路检测 350 （*） mA - V VSHORT VDD=5V, |VBTP-VBTN|: 1V→0.2V 振荡频率 静电保护 FOSC VDD=5V, |VBTP-VBTN|=3.6V － 2 4 Hz ESD 人体模型 2000 V 表2-4 HT3582DA 典型参数

HT3582DA锂电池充电芯片的典型应用电路如图2-2所示。图2-2中采用的是三灯充电的模式。如将L3去掉，则为普通二灯模式。