电工学(电子技术)课后答案第一部分第六版_秦曾煌

试画出：①N沟道绝缘栅增强型；②N沟道绝缘栅耗尽型；③P沟道绝缘栅增强型；④P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们正负。耗尽型和增强型区别在哪里

答： ①对于增强型绝缘栅场效应管，在一定额漏源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称开启电压UGS(th)。

②四种场效应管的转移特性曲线和练习与思考15.9.2图（a）、图（b）、图（c）、图（d）。

ID/mAUDS=常数ID/mA16128IDSSN0UGS(th)无沟道有沟道UGS(off)4UGS/VID/mA-3-2-1012UGS/V(b)N沟道耗尽型ID/mA(a)N沟道增强型IDSSUGS(th)(c)P沟道增强型UGS(off)(d)P沟道耗尽型UGS/V

0UGS/V练习与思考15.9.2图③增强型绝缘栅场效应管有开启电压UGS(th)，N沟道增强型开启电压UGS(th)为正，P沟道增强型UGS(th)为负。耗尽型绝缘场效应管有夹断电压UGS(th)，N沟道耗尽型UGS(th)为负，P沟道耗尽型UGS(th)为正。

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④增强型场效应管只有当UGS＞UGS(th) 时才形成导电沟道，耗尽型场效应管具有一个原始导电沟道。

练习与思考15.9.3 试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中，靠近漏极的导电沟道较窄，而靠近源极的较宽

答： 导电沟道形成后，在UDS的作用下，漏极电流ID沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，沟道最宽，而漏极一端电压最小，沟道最窄。

练习与思考15.9.4 绝缘栅场效应晶体管的栅极为什么不能开路

答： 因为栅极是绝缘的，感应电荷不易泄放，而且绝缘层很高，极易击穿，所以栅极不能开路，存放时应将各极短路。

习题详解

习题15.2.1 晶体管放大电路如题图所示，已知UCC=12V,RC=3kΩ，RB=240 kΩ，晶体管的β=40。①试用直流通路估算各静态值IB，IC，UCE；②如晶体管的输出特性如题图所示，试用图解法作放大电路的静态工作点；③在静态时(ui = 0)C1和C2上的电压各为多少并标出极性。

C1RBRCC2?UCCIC/mA4100uAL?ui?TRL?321Q75uA50uAIB=25uAuo????

0246(b)81012UCE/VC1RBRC?ui??UC1?T?UC2?RLC2?UCC?uo??C?习题15.2.1图

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解： ①估算静态值： IB?UCC?UBEUCC12???50?A

RBRB240IC??IB?40?50?2mA，UCE?UCC?ICRC?12?2?3?6V

②做直流负载线L，求静态工作点Q：

在题15.2.1(b)图中，连接点(UCC,0)、(0,UCC/RC)，即点(12V,0)、(0,4mA)得L，L与特性曲线的交点Q（6V,2mA）即为静态工作点。

③C1、C2的极性如题图15.2.1（c）所示，静态时，UC1=UBE= UC2?UCE?6V

习题15.2.2 在上题中，如何改变RB，使UCE=3V，试用直流通路求RB的大小；如改变RB，使IC=，RB又等于多少并分别用图解法作出静态工作点。

解： 在上题中，如不改变和，则直流负载线L不变，见题15.2.2图 IC/mA当UCE=3V时，IC=3mA，IB=75uA

4100RB?UCC12??160k? IB75L321Q7550IB=25uA当IC=时，UCE=，IB=

0246810习题15.2.2图12UCE/VRB?UCC12??320k? IB37.5习题15.2.3 在题图（a）中，若UCC

=10V，今要求UCE=5V,IC=2mA，试求RC和RB的阻 值。设晶体管的β=40。

解： RC?UCC?UCE10?5I2??2.5k?，IB?C??50?A 2分

IC2?40UCC10??200k? 2分 IB502626?200?(1?20)?473? 2分 IE2 RB?rbe?200?(1??)??RL7.5?2.5?1.875?7.5?2.5 2分

???RL40?1.875Au?????158rbe0.473ri?rbe?473?,ro?RC?2.5K? 2分

RB?

UCC10??200k? IB50习题15.2.4 在题图中，晶体管是PNP型锗管。①UCC和C1，C2的极性如何考虑请在图上标出；②设UCC=－12V，RC=3kΩ，β=75如果要将静态值IC调到，问RB应调到多大③在调整静态工作点时，如不慎将RB调到零，对晶体管有无影响为什么通常采取何种措施来?UCC防止发生这种情况

解： ①对PNP管，UCC和C1，C2的极性如 图15.2.4所示。

RBRCC2??C1T习题15.2.4图