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山东电气自动化专升本电子技术复习模拟电路专升本辅导材料

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  • 2025/6/30 21:38:39

图(b)内电场形成

2.PN结的特性

(1)单向导电性

PN正偏时→多子向PN结移动,空间电荷区变窄,内电场减弱→扩散运动大于漂移运动→形成以多子为主体的正向(扩散)电流。外加电压一定值后,正向电流显著增加—导通。

PN反偏时→多子背离PN结移动,空间电荷区变宽,内电场增强→漂移运动大于扩散运动→形成以少子为主体的反向(漂移)电流。当温度一定时,少子浓度一定,反向电流几乎不随外加电压而变化,故称为反向饱和电流,为uA级,此时,PN结截止。

(2)伏安特性

它可划分为三个部分: ①正向特性(外加正向电压)

当正向电压超过Vth后,二极管才有明显的正向电流,Vth称为门坎电压。

硅管的Vth约为0.5V,锗管的Vth约为0.1V。 当流过二极管的电流I较大时,二极管两端的电压几乎维持恒定,称为导通电压UD(ON)。硅管通常取0.7V,锗管约为通常取0.2V。

②反向特性(外加反向电压)

UD < 0反向电压时,且 〉VBR,反向电流很小,而且与UD的大小无关。

由二极管的伏安特性曲线看出:①二极管是非线性器件;②二极管具有单向导电性。

③反向击穿特性

当反向电压增加到某一数值VBR时,反向电流急剧增大,这种现象叫做二极管的反向击穿。

二极管的符号如右图。 3.主要参数

(1)正向---最大整流电流IF

(2)反向---反向击穿工作电压VRM=1/2VBR (三)二极管应用电路的分析方法 (1)伏安特性的折线近似(模型分析法)

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①理想二极管模型---正向导通时,UD = 0;反向截止时,ID=0。

②恒压降模型---当二极管工作电流较大时,其两端电压为常数,硅管 UD = 0.7V。

(2)图解分析的步骤(电路中只有直流电源):

①联立方程,一个线性,一个非线性;

②在同一坐标上画出非线性部分的伏安特性和线性部分的特性曲线; ③由两条特性曲线的交点求电路的V和I。

(3)微变等效电路(电路中除有直流电源外,还有交流小信号)分析的步骤:

①静态分析--假定Ui=0,用直流图解分析法,找到Q点(IQ,UQ), ②动态分析--对电路交流状态进行分析,在Q点二极管伏安特性曲线近似为直线,二极管可等效为交流电阻 rd=UT/ IQ = 26mV/IDQ , 交流电流idm = UIM/ rd

③流过二极管的电流iD = IQ + id (四)特殊二极管

1.稳压二极管 (1)工作原理

稳压管工作在反向击穿区,在电路中起稳压作用。它的符号 。 (2)主要参数:稳定电压Vz = VBR、稳定电流Iz=工作电压为VZ时对应的电流、最大工作电流IzM和最大耗散功率PzM,最大耗散功率PzM =IzM*Vz

2.发光二极管

发光二极管将电能转化为光能。简写成了LED,它的特性曲线与普通二极管类似,但正向导通电压一般为1~2V,正向工作电流一般为几~几十毫安。它的符号 。 (五)题型

1. 根据二极管的开关条件判断二极管的工作状态,求输出信号及波形。 2. 根据稳压管的特点,分析稳压管电路,求输出信号及波形。

3. 利用图解分析、模型分析、微变等效电路分析法分析二极管直流、交直

流电路 。

例1.求图所示电路的静态工作点电压和电流。

解:(1)图解分析法

联立方程 V=V1-IR iD =f(uD)

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将相应的负载线画在二极管的伏安特性曲线上,如图所示,其交点便是所求的(IQ,VQ)。 (2)模型分析法 ①理想二极管模型 V=0,I=V1/R ②恒压降模型

设为硅管,V=0.7V,I=(V1-V)/R

例2.试判断图中二极管是导通还是截止?并求出AO两端电压VA0。设二极管为理想的。

解:

分析方法 :

(1)将D1、D2从电路中断开,分别出D1、D2两端的电压;

(2)根据二极管的单向导电性,二极管承受正向电压则导通,反之则截止。若两管都承受正向电压,则

正向电压大的管子优先导通,然后再按以上方法分析其它管子的工作情况。

本题中: D2优先导通,此时, D1管子截止。VA0 = -4V。

例3.两个稳压管的稳压值VZ1=5V,VZ2=7V,它们的正向导通压降均为0.6V,电路在以下二种接法时,输出电压Vo为多少?若电路输入为正弦信号VI=20sinωt(V),画出图(a)输出电压的波形。

解:图(a)中若输入正弦信号VI=20sinωt(V):

在输入信号正半周, 若 VI<12V ,稳压管反向截止,Vo=VI;若 VI ≥12V ,稳压管反向击穿,Vo=12V。

在输入信号负半周, 若VI> -1.2V,稳压管截止,Vo=VI;若 VI ≤-1.2V,稳压管正向导通,Vo=-1.2V。 图(b)中:

在输入信号正半周, 若 VI<7.6V, 稳压管反向截止,Vo=VI;若 VI ≥7.6V 稳压管反向击穿,Vo=7.6V。

在输入信号负半周, 若VI> -5.6V,稳压管截止,Vo=VI;若 VI ≤-5.6V,稳压管正向导通,Vo=-5.6V。

单 元 检 测(一)

1、PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。

2、在图所示的电路中,当电源V=5V时,测得

I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将

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是_____。

A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA

3、图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?

4、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。

5、图所示的电路中,Dz1和Dz2为稳压二极管,其稳定工作电压分别为6V和7V,且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo为_______。

6、图所示电路,设Ui=sinωt(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波形应为图示_______图。

7、判断右图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。设二极管正向压降为0.7V。

8、二极管最主要的特性是____________,它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。 单元检测答案

1. 大于、变窄 2.C 3.B灯 4.0.7V 5.1V 6. A 7. D2导通,D1截止 V=-5.3V 8. 单向导电性、最大整流电流、反相击穿电压

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图(b)内电场形成 2.PN结的特性 (1)单向导电性 PN正偏时→多子向PN结移动,空间电荷区变窄,内电场减弱→扩散运动大于漂移运动→形成以多子为主体的正向(扩散)电流。外加电压一定值后,正向电流显著增加—导通。 PN反偏时→多子背离PN结移动,空间电荷区变宽,内电场增强→漂移运动大于扩散运动→形成以少子为主体的反向(漂移)电流。当温度一定时,少子浓度一定,反向电流几乎不随外加电压而变化,故称为反向饱和电流,为uA级,此时,PN结截止。 (2)伏安特性 它可划分为三个部分: ①正向特性(外加正向电压) 当正向电压超过Vth后,二极管才有明显的正向电流,Vth称为门坎电压。 硅管的Vth约为0.5V,锗管的Vth约为

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