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热敏电阻测温电路的设计

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  • 2025/5/25 18:10:35

VCC:供电电压。 GND:接地

P0口:P0口为一个8位漏极开路双向I/O口,每脚可吸收8个TTL门电流。

当P0口的管脚第一次写1时,被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据/地址的低八位。在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH进行校验时,P0输出原码,此时P0外部必须被拉高。

P1口:P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能接

收输出4个TTL门电流。P1口管脚写入1后,被内部上拉为高,可用作输入,P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时,P1口作为低八位地址接收。

P2口:P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2口缓冲器可接收,

输出4个TTL门电流,当P2口被写“1”时,其管脚被内部上拉电阻拉高,且作为输入。并因此作为输入时,P2口的管脚被外部拉低,将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时,P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时,它利用内部上拉优势,当对外部八位地址数据存储器进行读写时,P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。

P3口:P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个

TTL门电流。当P3口写入“1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。作为输入时,由于外部下拉为低电平,P3口将输出电流(ILL)这是由于上拉的缘故。

P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口,如下表所示: P3.0 RXD(串行输入口) P3.1 TXD(串行输出口) P3.2 /INT0(外部中断0) P3.3 /INT1(外部中断1)

P3.4 T0(定时器/计数器0外部输入) P3.5 T1(定时器/计数器1外部输入) P3.6 /WR(外部数据存储器写选通) P3.7 /RD(外部数据存储器读选通)

P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。

RST:复位输入。当振荡器复位器件时,要保持RST脚两个机器周期的高

电平时间。

/EA/VPP:当/EA保持低电平时,则在此期间只外部程序存储器

(0000H-FFFFH),不管是否有内部程序存储器。注意加密方式1时,/EA将内部锁定为RESET;当/EA端保持高电平时,此间访问内部程序存储器。当PC值超过片内程序存储器空间时,则自动转向外部程序存储器的程序。在FLASH编程期间,此引脚也用于施加12V编程电源(VPP)。

XTAL1:反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入 XTAL2:来自反向振荡器的输出。

XTAL1和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器

可以配置为片内振荡器。石英晶体振荡和陶瓷振荡均可采用。如采用外部时钟源驱动器件,XTAL2应不接。有余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器,因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求,但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。

1-2 AT89C51的最小系统介绍

时钟电路:

单片机内部的振荡电路是一个高增益反相放大器,引线XTAL1和XTAL2分别是放大器的输入端和输出端。单片机内部虽然有振荡电路,但要形成时钟,外部还需附加电路。单片机的时钟产生方式有两种。

① 内部时钟方式。利用其内部的振荡电路在XTAL1和XTAL2引线上外接定时元件,内部振荡电路便产生自激振荡,用示波器可以观察到XTAL2输出的

时钟信号。

② 外部时钟方式。在单片机组成的系统中,为了各单片机之间时钟信号的同步,应当引入惟一的合用外部振荡脉冲作为各单自片机的时钟。外部时钟方式中是把外部振荡信号源直接接入XTAL1或XTAL2。

图3-1为内部时钟电路 图3-2为HMOS型外部时钟电路 图3-3为CHMOS型外部时钟电路

复位电路和复位状态

单片机的复位是靠外部电路实现的。单片机工作后,只要在它的RST引线上加载10ms以上的高电平,单片机就能够有效地复位。

① 复位电路。单片机通常采用上电自动复位和按键复位两种方式。最简单的复位电路如下图所示。上电瞬间,RC电路充电,RST引线端出现正脉冲,只要RST端保持10ms以上的高电平,就能使单片机有效地复位。在应用系统中,有些外围芯片也需要复位。如果这些芯片复位端的复位电平的要求一致,则可以将复位信号与之相连。

简单的复位电路

② 复位状态。复位电路的作用是使单片机执行复位操作。复位操作主要是把PC初始化为0000H,使单片机从程序存储器的0000H单元开始执行程序。程

序存储器的0003H单元即单片机的外部中断0的中断处理程序的入口地址。留出的0000H~0002H 3个单元地址,仅能够放置一条转移指令,因此,MCS-51单片机的主程序的第一条指令通常情况下是一条转移指令。

除PC之外,复位还对其他一些特殊功能寄存器有影响,它们的复位状态如表2-16所示。利用它们的复位状态,可以减少应用程序中的初始化编程。

表2-16 寄存器的复位状态

寄存器 PC ACC PSW SP DPTR P0~P3 IP IE 复位状态 0000H 00H 00H 07H 0000H FFH Xxx00000B 0xx00000B 寄存器 TMOD TCON TL0 TH0 TL1 TH1 SCON PCON 复位状态 00H OOH 00H 00H 00H 00H 00H 0xx00000B 由表2-16可知,除SP=07H,P0~P3 4个锁存器均为FFH外,其他所有的寄存器均为0,很好记忆。记住他们的复位状态,对于熟悉单片机的操作,减少应用程序中的初始化编程都是十分必要的。

单片机的复位不影响片内RAM的状态(包括通用寄存器Rn)。

P0、P1、P2、P3共有4个8位并行I/O口,它们引线为:P0.0~P0.7、P1.0~P1.7、P2.0~P2.7、P3.0~P3.7,共32条引线。这32条引线可以全部用做I/O线,也可将其中部分用做单片机的片外总线。

单片机最小系统图

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VCC:供电电压。 GND:接地 P0口:P0口为一个8位漏极开路双向I/O口,每脚可吸收8个TTL门电流。当P0口的管脚第一次写1时,被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据/地址的低八位。在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH进行校验时,P0输出原码,此时P0外部必须被拉高。 P1口:P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能接收输出4个TTL门电流。P1口管脚写入1后,被内部上拉为高,可用作输入,P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时,P1口作为低八位地址接收。 P2口:P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2口缓冲器可接收,输出4个TTL门电流,当P2口被写“1”时,其

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