浮栅驱动自举电容

一般Qgate ≈ Qtotal

1. ΔVboot ≈ 10%Vdd, Vdd为栅极供电电压。 2. ΔVboot ≈ 1V

上式是按MOS管关断时，根据Vgs可以变化的范围，计算的Cboot，此公式计算的是Cboot的最小值。

又根据MAXIM电源芯片手册

此公式根据电容充电时间，计算Cboot的最大值

MOS防浪涌,防止漏极D电流通过Cgd，Cgs充电，使栅极导通 Crss = Cgd

Ciss = Cgs + Cgd

有时需要在GS极间加一电容C

VthCrssCrss*Vsup?Vth*Ciss?， C?

CissVsupCiss?C

栅极需串电阻，原因是Cgs与S极电感及控制回路的走线电感有可能产生LC振荡，根据RLC串联电路，Lp为驱动地与S极间的电感 R >=

4LpCgs时，不产生振荡

驱动栅极电流和开关损耗

开关的上升和下降时间一般取开关频率的%2左右

栅极开关损耗Pdrv = 0.5 * Qg * Vgs * fsw , 因为Q = CV, 开关损耗主要消耗在栅极电阻上，如果使用自举电路，则损耗还消耗在自举二极管和自举电容的ESR上。