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麻阳第一职业中学 《电子技术基础》 教案 教师：郑华
NPN型 晶体三极管的结构图及表示符号PNP型
三极管种类：
按基片材料分---硅管，目前国内生产硅管多为NPN型（3D系列）； 锗管，目前国内生产锗管多为PNP型（3A系列）。 按频率特性分---高频管和低频管。
按功率大小分---大功率管、中功率管和小功率管等。
按组成形式分---有NPN型和PNP型两种。实际应用中采用NPN型三极管较多。
PNP型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏臵时的电流方向。
二、电流放大原理 （1）产生放大作用的条件
内部：a）发射区杂质浓度>>基区>>集电区 b）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏 （2）三极管内部载流子的传输过程
a）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iE b）电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 iB
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c）集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 IC （3）电流分配关系： IE = IC + IB
UBBIEIBRBICNRCPUCCN 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 3）电子被集电区收集的过程
三极管的电流放大作用：
实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很小，但对IC
有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。当ICBO可以忽略时，上式可简化为把集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比定义为三极管的共发射极交流电流放大系数β，其表达式为：
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IC??IB
???IC?IB三、晶体三极管的特性曲线
三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线。
RcmAiB?A＋RbUBB－V－＋uBEiC＋iEV－uCE＋UCC－ 三极管特性曲线的测试电路
（一）输入特性曲线
三极管的输入特性曲线如图下图所示。
IBIC +UCE+VUBE－ －mARCVUCC403020100IB /mAUCE≥1V0.4 0.8 UBE /VμARBUBB测量三极管特性的实验电路 三极管的输入特性曲线1. 当uCE＝０时
从输入端看进去, 相当于两个ＰＮ结并联且正向偏臵, 此时
的特性曲线类似于二极管的正向伏安特性曲线。
2. 当
uCE≥1Ｖ时
uCE＝０V时的曲线稍向右移
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图中可见,的曲线比
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移动。但当 uCE≥2Ｖ后，曲线基本重合。
(二) 输出特性曲线
（1）放大区：发射极正向偏臵，集电结反向偏臵。
iC??iB （2）截止区：发射结反向偏臵，集电结反向偏臵 。
iB?0,iC?0（3）饱和区：发射结正向偏臵，集电结正向偏臵。 截止区
43210IC /mA放 大 区饱和区100μA80μA60μA40μA20μAIB=03 6 9 12 UCE /V四、晶体三极管的主要参数
1、三极管为共发射极接法
静态（直流）电流放大系数?： 三极管为共发射极接法，在集电极-发射极电压UCE一定的条件下，由基极直流电流IB所引起的集电极直流电流与基极电流之比，称为共发射极静态（直流）电流放大系数， 记作:
??IC?ICEOIC?IBIB
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