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麻阳第一职业中学 《电子技术基础》 教案 教师：郑华
在图所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。 类型：
(1)按材料分:有硅、锗二极管和砷化镓二极管等。
(2）按结构分:有点接触型、面接触型二极管、平面型二极管。 (3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电等二极管。 (4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。 二)、二极管的伏安特性
iV / mAB′锗B硅1510IR5O－5A′－U(BR)CC′－30A0.40.60.8uV / V0.2DD′(?A)二极管伏安特性曲线
若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如上图所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。下面对二极管伏安特性曲线加以说明。
1.正向特性：二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压。如上图中OA(OA′)段。
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死区电压：硅管约为0.5V,锗管约为0.1V
当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。正向导通压降：硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V。如图4.8中AB(A′B′)段。二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。
2.反向特性：二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见上图中OC（OC′）段。 3、二极管的击穿特性
反向击穿：二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如C′D′)段。 三)、二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最大反向工作电压 URM 本课小结：
1.PN结是组成半导体二极管和其他有源器件的重要环节。 2.当PN结加正向电压时正向偏臵时的情况，加反向电压时反向偏臵的情况。
3．PN结具有单向导电性。
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4、二极管的重要特性是单向导电性。
5、二极管的主要参数有最大整流电流、最大反向电压和最大反向电流。
练习题与作业题：
1、思考题：PN结在什么情况下正偏？什么情况下反偏？ 2、作业题：PN结为什么具有单向导电性？ 3、《电子技术基础》教材P20 1-5。
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第二节 半导体三极管
教学目的：了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数。 教学重点：了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数。 教学难点：输入输出特性曲线、电流放大作用。
教学方法与手段：教师讲授与学生练习、实验实训相结合；板书与多媒体课件相结合。 课时计划：4课时
一.晶体三极管的结构
结构组成：由两个PN结、3个杂质半导体区域和三个电极组成，
杂质半导体有P、N型两种。
三个区：基区---很薄。一般仅有1微米至几十微米厚.
发射区---发射区浓度很高。
集电区---集电结截面积大于发射结截面积。
两个PN结：发射结---为发射区与基区之间的PN结。
集电结---为集电区与基区之间的PN结。
三个电极：发射极e、 基极b和集电极c; 分别从这三个区引出的电极。
三个区组成形式：有NPN型和PNP型两种。结构和符号如图5.1.1所示。
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