电工学课件（哈工大）第十五章 半导体 - 图文

15.5.3 特性曲线

1输入特性曲线：

IB?f(UBE)|UCE?C死区电压：

硅管：0.5伏左右，锗管0.1伏左右。

正常工作时，发射结的压降：

NPN型硅管UBE=0.6~0.7V;PNP型锗管UBE=-0.2~-0.3V。

IB/μA8060UCE>1

4020

0 0.4 0.8 UBE/V

15.5.3 特性曲线

2 输出特性曲线

IC?f(UCE)|IB?C晶体管的输出特性曲线是一组曲线。

4IC/mA100380602

401

20μAIB=0UCE/V03

6

9

12

15.5.3 特性曲线

晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：

（1）放大区（线性区）

IC/mA（1）放大区

4（2）截止区输出特性曲线的近似水平部分。（3）饱和区3

100806040放大区IC?βIB2

_发射结处于正向偏置；集电结处于反向偏置120μAIB=00

3

6

9

UCE/V12

15.5.3 特性曲线

（2）截止区

4IB=0曲线以下的区域为截止区IB=0 时，IC=ICEO3〈0.001mAIC/mA10080602

40对NPN型硅管而言，当UBE〈0.5V时，即已开始截止，为了截止可靠，常使UBE小于等于零。截止区120μAIB=0UCE/V0

3

6

9

12