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无机材料物理化学习题及解答

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  • 2026/4/23 10:04:28

晶体结构缺陷习题与解答

1.1 名词解释(a)弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b)刃型位错和螺型位错

解:(a)当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b)滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。

1.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中2++

Ca置换KCl中K或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。

解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX晶体中,间隙原子的表示符号为MI或XI;空位缺陷的表示符号为:VM或VX。如果进入MX晶体的杂质原子是A,则其表示符号可写成:AM或AX(取代式)以及Ai(间隙式)。

2++

当CaCl2中Ca置换KCl中K而出现点缺陷,其缺陷反应式如下:

KClCaCl2???CaK+Vk+2ClCl

?'CaCl2中Ca进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为:

KClCaCl2???Cai+2Vk +2ClCl

??'2+

1.3在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么?

解:位置平衡是指在化合物MaXb中,M格点数与X格点数保持正确的比例关系,即M:X=a:b。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。

1.4(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 (b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。

解:(a)根据热缺陷浓度公式:

n?G? exp(-) N2kT由题意 △G=6ev=6×1.602×10=9.612×10J

-23

K=1.38×10 J/K

T1=25+273=298K T2=1600+273=1873K ??n9.612?10?19??=1.92×10-51 298K: ? exp??2?1.38?10?23?298?N???19??n9.612?10?=8×10-9 1873K: ? exp???2?1.38?10?23?1873?N??-19-19

(b)在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为:

MgO''Al2O3????2Al?Mg?VMg?3OO

此时产生的缺陷为[ VMg]杂质。 而由上式可知:[Al2O3]=[ VMg]杂质

''''∴当加入10 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为

''[ VMg]杂质=[Al2O3]=10

-6

-6

''由(a)计算结果可知:在1873 K,[ VMg]热=8×10

-9

''''显然: [ VMg]杂质>[ VMg]热,所以在1873 K时杂质缺陷占优势。

1.5对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。 解:根据热缺陷浓度公式:

?Gn? exp(-)

2kTN由题意 △G=84KJ/mol=84000J/mol

则 其中R=8.314J/mol·K 当T1=1000K时,当T2=1500K时,

n?G84000??-3

? exp(?)= exp???=6.4×10 M2RT?2?8.314?1000?n?G? exp(?) M2RTn?G84000??-2

? exp(?)= exp???=3.45×10 M2RT?2?8.314?1500?1.6试写出在下列二种情况,生成什么缺陷?缺陷浓度是多少?(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成

淡红宝石(b)在Al2O3中,添加0.5mol%的NiO,生成黄宝石。

解:(a)在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石的缺陷反应式为:

2O3Cr2O3?Al???2CrAl?3OO

生成置换式杂质原子点缺陷。其缺陷浓度为:0.01%×2=0.004%=4×10%

5-3

(b)当添加0.5mol%的NiO在Al2O3中,生成黄宝石的缺陷反应式为:

??2O32NiO?Al???2Ni'Al+VO+2OO

生成置换式的空位点缺陷。其缺陷浓度为:0.5%×3=0.3%

51.7非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎样变化?增大?减少?为什么?

解:(a)非化学计量化合物Fe1-xO,是由于正离子空位,引起负离子过剩:

2Fe Fe+

1''O2(g)→2Fe?Fe+ VFe+OO 21?'O2(g)→OO + V'Fe+2h 2按质量作用定律,平衡常数

K=

''[OO][VFe][h?]21

PO2

2由此可得

' [V'Fe]﹠ PO21/6

即:铁空位的浓度和氧分压的1/6次方成正比,故当周围分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-xO的密度也将减小。

(b)非化学计量化合物Zn1+xO,由于正离子填隙,使金属离子过剩:

?ZnO?Zn?i+2e′+

1O2(g) 2根据质量作用定律

1/2?K=[Zn?i] [e′]PO

2

2?得 [Zn?i]?PO2-1/6

即:间隙离子的浓度与氧分压的1/6次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+xO的密度也将减小。

1.8非化学计量化合物FexO中,Fe/Fe=0.1,求FexO中的空位浓度及x值。

解: 非化学计量化合物FexO,可认为是α(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为:

''Fe2O3?FeO???2Fe?Fe+ VFe+3OO

3+

2+

α 2α α

此非化学计量化合物的组成为:

?2?Fe 32?Fe(1?2???)O

已知:Fe/Fe=0.1

3+2+

2??0.1

1?2???∴ α = 0.044

∴x=2α+(1-3α)=1-α=0.956

则:

'又:∵[V'Fe]=α = 0.044

3+

正常格点数N=1+x=1+0.956=1.956

'3?[V 'Fe]0.044∴空位浓度为??2.25?10?2

N1.9561.9 非化学计量氧化物TiO2-x的制备强烈依赖于氧分压和温度:(a)试列出其缺陷反应式。(b)求其缺陷浓

度表达式。

解:非化学计量氧化物TiO2-x,其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子过剩的类型。 (a)缺陷反应式为:

V2Ti Ti–12O2↑→2TiTi+O+3OO

??OO→VO+2e′+

'??1O2↑ 2(b)缺陷浓度表达式:

?[ V?O]? [PO2]?16

1.10试比较刃型位错和螺型位错的异同点。

解:刃型位错和螺型位错的异同点见表1-1所示。

表1-1 刃型位错和螺型位错的异同点

与柏格斯矢量b的位置关系 位错分类 位错是否引起晶体畸变和形成应力场 位错类型

刃型位错

柏格斯矢量b与刃性位错线垂直

刃性位错有正负之分

螺型位错

柏格斯矢量b与螺型位

错线平行

螺形位错分为左旋和右旋

引起晶体畸变和形成应引起晶体畸变和形成应力场,且离位错线越远,力场,且离位错线越远,晶格畸变越小 晶格畸变越小 只有几个原子间距的线只有几个原子间距的线缺陷 缺陷

第二章 固溶体习题与解答

2.1试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。

解:1 离子尺寸因素

从晶体稳定性考虑,相互替代的离子尺寸愈相近,则固溶体愈稳定。若以r1和r2分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。当它们半径差

r1?r2< 15%时,形成连续置换型固溶体。若此值在15~30%时,可以形成有r1限置换型固溶体。而此值>30%时,不能形成固溶体。 2、晶体的结构类型

形成连续固溶体的两个组分必须具有完全相同的晶体结构。结构不同最多只能生成有限固溶体。 3、离子的电价因素

只有离子价相同或复合替代离子价总和相同时,才可能形成连续置换型固溶体。 4、电负性因素

电负性相近,有利于固溶体的生成。

2.2 从化学组成、相组成考虑,试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。

解:从化学组成、相组成考虑,固溶体、化合物和机械混合物的区别 列下表2-1比较之 。

表2-1 固溶体、化合物和机械混合物比较

(以AO溶质溶解在B2O3溶剂中为例) 比 较 项 化学组成 相组成

固 溶 体

B2-xAxO

3?x2化 合 物 AB2O4 单相 机 械 混 合 物 AO+B2O3 两相有界面 (x =0~2)

均匀单相

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晶体结构缺陷习题与解答 1.1 名词解释(a)弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b)刃型位错和螺型位错 解:(a)当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b)滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。 1.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中2++Ca置换KCl中K或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。 解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX晶体中,间隙原子的表示

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