电路与电子技术练习题

Us?220??200V。

参考答案：Uoc..Is .Z2 Z1 图3 i3 . ＋Us Z3 － 223.5??12.960?223.5??12.96V，Z0?j6.667?，I3??5.5??22.420A

40?j6.6670.06、电路如图4所示，图中R=5?，XL=5?，XC=2?，U??52?45V。Is?2?0A，Zf=Rf+Xf的实部

.0.和虚部可自由改变。要使Zf获得最大功率，试确定其值，并计算它获得的最大功率。 R

+ XC

Us

Is Zf - XL

图4 参考答案：Z0?5?j5?，Zf?5?j5?，Pfmax?2.5W 7、试求图5示各电路的输入阻抗Z和导纳Y。 1?

C -j2? -j1?

图5

参考答案：Z?1.2??33.69?，Y?0.83?33.69 Z?00I1 ?I1 -j1? 图5 1??900?,Y?(1??)?900s

(1??)08、图6电路中，电源频率为50Hz，总阻抗Z?2000?，且u与uc相位差为30。试求：1）R、C；2）若又知U=2V，求电流i，有功功率P，无功功率Q，功率因数cos?。 i R2 + u C uc -

图6

参考答案：R?1k?，C?1.84?F；i?2cos(100?t?600)mA，P?1mW，Q?1.73mvar，

cos??0.5

21

0??1000rad/s，9、电路如图7所示，图中Is?10?0A，R1=10?，j?L1=j25?，R2=5?，?j.1??j5??c2求各支路吸收的复功率和电路的功率因数。 R1

R2 is

图7

10、功率为60W，功率因数为0.5的日光灯（感性）负载与功率为100W的白炽灯各50只并联在220V电源上（f=50Hz）。如果把功率因数提高到0.92，应并联多大的电容。

第四章练习题

一、填空题

1、半导体是一种导电能力介于 导体 与 绝缘体 之间的物质。常用的半导体单晶材料是 锗 和 硅 。

2、利用半导体材料的某种敏感特性，如 热敏 特性和 光敏 特性可制成热敏电阻和光敏元件。 3、在本征半导体中，自由电子浓度 等于 空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度 小于 空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度 大于 空穴浓度。

4、杂质半导体中的多数载流子是由 掺杂 产生的；少数载流子是由本征激发产生的。 5、使PN结正偏的方法是：将P区接 正 电位，N区接 负 电位。 6、正偏时PN结处于 导通 状态；反偏时PN结处于 截止 状态。

9、反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于 击穿 状态，该状态是 稳压 二极管的工作状态，是 普通 二极管的故障状态。

10、二极管的反向击穿分为 血崩 击穿和 齐纳 击穿。击穿后如果反向电流不超过允许值，则二极管只是 电 击穿，不致损坏。否则因功耗太大使管子过热损坏时称为 热 击穿。 11、整流二极管的最主要特性是 单向导电性 。

13、理想二极管正向导通时，其两端压降为 0 V，反向截止时，流过的电流为 0 A。 16、三极管具有电流放大作用的内部条件（工艺措施）是： e 区中掺杂浓度高， c 结的面积大， b 区很薄。

17、三极管具有电流放大作用的外部条件是： 发射结正偏 和 集电结反偏 。

22

18、三极管的电流放大作用是用较小的 基极 电流控制较大的 集电极 电流，所以三极管是一种 电流 控制器件。

19、双极型晶体管从结构上看可以分成 NPN 和 PNP 两种类型，它们工作时有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。

21、三极管的输出特性曲线可划分为 截止区 、 放大区 和 饱和区 三个区域。

二、单项选择题

1、在本征半导体中加入 C 元素可形成N型半导体，加入 A 元素可形成P型半导体。

A、三价 B、四价 C、五价 2、N型半导体中的多数载流子是 A 。

A、自由电子 B、空穴 C、正离子 3、P型半导体中的多数载流子是 B 。

A、自由电子 B、空穴 C、负离子 4、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A、变窄 B、变宽 C、基本不变 5、对PN结施加反向电压时，参与导电的是 B 。

A、多数载流子 B、少数载流子 C、既有多数载流子又有少数载流子 6、当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 A 。

A、增加 B、减少 C、不变

11、当温度为200C时测得某二极管的在路电压为UD?0.7V，若其他参数不变，当温度上升到400C时，则UD的大小将 C 。

A、等于0.7V B、大于0.7V C、小于0.7V 14、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿

15、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏

16、晶体管的两个PN结均正偏或均反偏时，所对应的状态分别是 C 。

A、截止或放大 B、截止或饱和 C、饱和或截止

23

17、用万用表判别处于放大状态的某个晶体管的类型（指NPN管或PNP管）与三个电极时，最方便的方法是测出 B 。

A、各极间电阻 B、各极对地电位 C、各极的电流

18、某只处于放大状态的三极管，各极电位分别是UE?6V、UB?5.3V、UC?1V，则该管是 B 。

A、PNP锗管 B、PNP硅管 C、NPN硅管

19、在实践中，判断三极管是否饱和，最简单可靠的方法是测量 C 。

A、IB B、UBE C、UCE 21、温度升高时，晶体管的参数?将 A 。

A、增大 B、减小 C、不变

23、发射结正向偏置，集电结反向偏置是晶体管工作在 A 区的外部条件。

A、放大 B、饱和 C、截止 24、两个PN结皆正向偏置，是晶体管工作在 B 区的条件。

. A、放大 B、饱和 C、截止 25、、两个PN结皆反向偏置，是晶体管工作在 C 区的条件。

. A、放大 B、饱和 C、截止 26、NPN型晶体管工作在放大区时，三个极的电位特征是 A 。

. A、UC?UB?UE B、UC?UB?UE C、UE?UB?UC 27、PNP型晶体管工作在放大区时，三个极的电位特征是 B 。

A、UC?UB?UE B、UC?UB?UE C、UC?UB?UE

28、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 B 。

A、ic B、 iB C、uCE

29、某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，则其集电极电流等于 A 。

A、0.98 mA B、 1.02 mA C、0.8 mA

三、分析计算体

24