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《光纤通信》第4章 复习思考题参考答案

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  • 2025/12/12 4:50:34

(4.5.1)中的波长与有源层的光增益一致,因为有源区腔长z很短,所以需要高反射的端面,这是由于光增益与exp(gz)成正比,这里g是光增益系数。因为有源层通常很薄(?0.1 ?m),就像一个多量子阱,所以阈值电流很小,仅为0.1 mA,工作电流仅为几mA。由于器件体积小,降低了电容,适用于10 Gb/s的高速调制系统。由于该器件不需要解理面切割就能工作,制造简单,成本低,所以它又适合在接入网中使用。

图4.5.1 垂直腔表面发射激光器(VCSEL)示意图

4-17 LED和LD的主要区别是什么

答:LED本质上是非相干光源,它的发射光谱就是半导体材料导带和价带的自发辐射谱线,所以谱线较宽。对于用GaAlAs材料制作的LED,发射光谱宽度约为30~50 nm,而对长波长InGaAsP材料制作的LED,发射谱线为60~120 nm。因为LED的光谱很宽,所以光在光纤中传输时,材料色散和波导色散较严重,这对光纤通信非常不利。

LD有多模激光器和单模激光器之分。多模激光器指的是多纵模或多频激光器,模间距为0.13~0.9 nm。通常高速传输系统用的半导体激光器的频谱宽度为5 nm。单模激光器的频谱宽度因为很窄,所以称为线宽,它与有源区的设计密切相关。

图4.6.3 LED和LD的光谱特性

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(4.5.1)中的波长与有源层的光增益一致,因为有源区腔长z很短,所以需要高反射的端面,这是由于光增益与exp(gz)成正比,这里g是光增益系数。因为有源层通常很薄(?0.1 ?m),就像一个多量子阱,所以阈值电流很小,仅为0.1 mA,工作电流仅为几mA。由于器件体积小,降低了电容,适用于10 Gb/s的高速调制系统。由于该器件不需要解理面切割就能工作,制造简单,成本低,所以它又适合在接入网中使用。 图4.5.1 垂直腔表面发射激光器(VCSEL)示意图 4-17 LED和LD的主要区别是什么 答:LED本质上是非相干光源,它的发射光谱就是半导体材料导带和价带的自发辐射谱线,所以谱线较宽。对于用GaAlAs材料制作的LED,发射光谱宽度约为30~50 nm,而对长波长InGaAsP材料制作的LED,发射谱线为60~12

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