刘家禹毕业论文初稿（机电专业）2(2)

邵阳学院毕业设计（论文）

LJMP START ORG 0030H

START: LCALL ASDX 001 LCALL LCD162 SJMP START RD18B20:LCALL INIT

LCALL GETWD REET INIT:CLR EA INI10:SETB DAT MOV R2,＃200 INI11:CLR DAT

DJNZ R2,INI11 ；主机发复位脉冲持续3μs×200=600μs SETB DAT ；主机释放总线，口线改为输入 MOV R2,＃30

IN12:DJNZ R2,INI12 ；ASDX 001等待2μs×30=60μs CLR C

ORL C,DAT ；ASDX 001数据线变低（存在脉冲）吗？ JC INI10 ；ASDX 001未准备好，重新初始化 MOV R6,＃80 INI13:ORL C,DAT

JC INI14 ；ASDX 001数据线变高，初始化成功

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DJNZ R6,INI13 ；数据线低电平可持续3μs×80=240μs SJMP INI10 ；初始化失败，重来 INI14:MOV R2,＃240

IN15:DJNZ R2,INI15 ；ASDX 001应答最少2μs×240=480μs RET ； WRITE:CLR EA

MOV R3,＃8 WR11:SETB DAT MOV R4,＃8

RRC A CLR DAT

WR12:DJNZ R4,WR12 MOV DAT, C MOV R4,＃20

WR13:DJNZ R4,WR13 DJNZ R3,WR11 SETB DAT

RET READ:CLREA

MOVR6,＃8 RD11:CLR DAT MOV R4,＃4

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8次，写一个字节 ；写入位从A中移到CY ；等待16μs

；命令字按位依次送给ASDX 001 ；保证写过程持续60μs ；未送完一个字节继续 ； ；循环8次，读一个字节 ；循环 邵阳学院毕业设计（论文）

NOP ；低电平持续2μs SETBDAT ；口线设为输入 RD12:DJNZR4,RD12 ；等待8μs

MOV C,DAT ；主机按位依次读入ASDX 001的数据 RRC A ；读取的数据移入A MOV R5,＃30

RD13:DJNZ R5,RD13 DJNZ R6,RD11 SETBDAT RET GETWD: MOV A,＃0CCH

LCALL WRITE MOV A,＃44H

LCALL WRITE LCALL INIT

MOV A,＃0CCH LCALL WRITE

MOV A,＃0BEH LCALL WRITE LCALL READ

MOV WDLSB,A -25-

；保证读过程持续60μs

；读完一个字节的数据，存入A中 ；发跳过ROM命令 ；发跳过ROM命令 ；发读存储器命令 ；温度值低位字节送WDLSB

；发启动转换命令 邵阳学院毕业设计（论文）

LCALL READ

MOV WDMSB,A ；温度值高位字节送WDMSB RET

附录元件清单

序号 名称 标号 规格 数量 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 -25-

单片机 电位器 无极性电容 电阻 无极性电容 无极性电容 无极性电容 极性电容 稳压二极管 继电器 电阻 开关三极管 开关三极管 稳压二极管 电动机 电阻 开关三极管 传感器 电阻 U4 W1 C2 R4 C3 C4 C1 C12 D2 V1 R3 Q2 Q5 D3 M1 R5 SW-1 ＡＳＤＸ001 R2 89c51 １０Ｋ 22uF ２Ｋ 20pF 20pF １００uF 470uF/10V ５Ｖ ３mＡ/５Ｖ １Ｋ ＰＮＰ ＰＮＰ ５Ｖ 2A/5V 200Ω PNP 50mA/5V 10K 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1