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模拟电子技术教案

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  • 2025/5/4 13:00:52

授 课 计 划

授课时数: 2 授课教师: 赵启学 授课时间: 课 题:半导体二极管 教学目的:

1、掌握半导体二极管的伏安特性与主要参数 2、了解半导体二极管的使用常识

教学重点:1、二极管的符号及主要参数2、二极管的伏安特性 教学难点:二极管的伏安特性 教学类型:理论课

教学方法:讲授法、启发式教学、观察法 教学过程: 引入新课:

回顾上节课所学内容,1、N型半导体,自由电子为多数载流子,热激发形成的空穴为少数载流子。P型半导体,空穴为多数载流子,热激发形成的自由电子是少数载流子2、PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。3、半导体二极管的构成:一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来。(10分钟)

讲授新课:

一:半导体二极管的伏安特性(30分钟)

1、 PN结的伏安特性方程

PN结两端的电压U和和流过PN结的电流I的关系:

为PN结的反向饱和电流

为温度的电压当量,

正偏时U与I为正值,反偏时U与I为负值

2、 二极管的伏安特性曲线

(1)正向特性

外加正向电压较小时,外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力,PN结仍处于截止状态 。 正向电压大于死区电压后,正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V,锗管约为0.2V (2)反向特性

二极管电压时,反向电流很小(I≈-IS),而且在相当宽的反向电压范围内,反向电流几乎不变,因此,称此电流值为二极管的反向饱和电流

结论:(1)二极管是非线性原件 (2)二极管具有单项导电性 (3)反向击穿特性

从图1.1.7可见,当反向电压的值增大到UBR时,反向电压外加反向电压时,电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1.1.7可见,二极管外加反向值稍有增大,反向电流会急剧增大,称此现象为反向击穿,UBR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性,可以做成稳压二极管,但一般的二极管不允许工作在反向击穿区

3、温度对二极管特性的影响

二极管是对温度非常敏感的器件。实验表明,随温度升高,二极管的正向压降会

减小,正向伏安特性左移,即二极管的正向压降具有负的温度系数(约为-2mV/℃);温度升高,反向饱和电流会增大,反向伏安特性下移,温度每升高10℃,反向电流大约增加一倍

二:半导体二极管的使用常识(30分钟)

1、二极管的型号

国产二极管型号由五部分组成,符号意义见表1.1.1.

表1.1.1

2、二极管的主要参数 (1)最大整流电流

最大整流电流的平均值。 (2)最高反向电压

是指二极管长期连续工作时,允许通过二极管的最大正向电流

允许加在二极管上的反向电压的最大值。 (3)反向饱和电流

它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值愈小,说明二极管的单向导电性愈好。 另外

(4)最高工作频率:主要取决于PN结结电容的大小。

理想二极管:正向电阻为零,正向导通时为短路特性,正向压降忽略不计;反向电阻为无穷大,反向截止时为开路特性,反向漏电流忽略不计。 3、 二极管管脚级性及质量的判断 (1)二极管的管脚级性

将红、黑表笔分别接二极管的两个电极,若测得的电阻值很小(几千欧以下),则黑表笔所接电极为二极管正极,红表笔所接电极为二极管的负极;若测得的阻值很大(几百千欧以上),则黑表笔所接电极为二极管负极,红表笔所接电极为二极管的正极。

(2)质量判断

若测得的反向电阻很大(几百千欧以上),正向电阻很小(几千欧以下),表明二极管性能良好。

若测得的反向电阻和正向电阻都很小,表明二极管短路,已损坏。 若测得的反向电阻和正向电阻都很大,表明二极管断路,已损坏。

本课小结:(10分钟)

1、半导体二极管的伏安特性:通常死区电压硅管约为0.5V,锗管约为0.2V 2、二极管的主要参数:

最大整流电流最高反向电压最高工作频率 反向饱和电流 3、半导体二极管的测量

(1)反向电阻很大,正向电阻很小,二极管性能良好

(2)若测得的反向电阻和正向电阻都很小,表明二极管短路,已损坏。 (3)若测得的反向电阻和正向电阻都很大,表明二极管断路,已损坏。 (10分钟)

作业布置: P22 1、2、3题 板书设计:

二极管的伏安特性及使用常识

伏安特性:

硅管:0.5V,锗管:0.2V 主要参数: 最大整流电流最高反向电压最高工作频率

反向饱和电流 作业:

教学反思:

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授 课 计 划 授课时数: 2 授课教师: 赵启学 授课时间: 课 题:半导体二极管 教学目的: 1、掌握半导体二极管的伏安特性与主要参数 2、了解半导体二极管的使用常识 教学重点:1、二极管的符号及主要参数2、二极管的伏安特性 教学难点:二极管的伏安特性 教学类型:理论课 教学方法:讲授法、启发式教学、观察法 教学过程: 引入新课: 回顾上节课所学内容,1、N型半导体,自由电子为多数载流子,热激发形成的空穴为少数载流子。P型半导体,空穴为多数载流子,热激发形成的自由电子是少数载流子2、PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。3、半导体二极管的构成:一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来。(10分钟)

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