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传感器复习题答案

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  • 2025/5/3 19:53:02

1、金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用 机械变形 引起的电阻变化,后者利用 电阻率变化 变化引起的电阻变化。 2、变间隙式电容传感器常做成差动的,其主要目的之一是 提高灵敏度 ,目的之二是 抗干扰 ,目的之三是 改变非线性 。

3、设?x为绝对误差,A为被测量的实际值,x为被测量,xm为满度值,则示值

相对误差表示为 ,实际相对误差表示为 ,

引用相对误差表示为 。

4、一个理想的测试装置,其输入和输出之间应该具有 线性 关系为最佳。 5、电涡流传感器可以用于位移测量、 振动 和 厚度 等。(转速、温度、硬度)

6、热电偶的热电势包括两种不同导体 不同的电子密度 端 温度不同 。

7、气敏元件对气体的吸附分为 物理吸附 和 化学吸附 ,常温下主要是 物理吸附 ,高温下主要是 化学 。 问答题

1、重复性误差和迟滞误差有何区别?

____和同一导体两

2、什么是传感器的静态特性?它由哪些技术指标描述?

3、指出图中组合式压力传感器中有哪些弹性敏感元件?并说明压力测量原理?(其中R为电阻应变片)

4、某等截面梁(泊松比为0.3)受单向拉力F作用,将灵敏系数为2.4的四个应变片粘贴在梁上,如下图所示。(1) 请

利用粘贴的四片应变片组成全桥(绘制电桥图),实现拉力F的测量。(2) 若供桥电压为8V,应变片R1和R3产生应变为150με(1με=1×10-6),问电桥输出电压是多少?

5、一只应变片的电阻R=120Ω,灵敏度系数K=2.05,用做应变ε=800μm/m的传感器,将其接入等臂电桥。求: (1)ΔR和ΔR/R;(6分)

(2)若电源电压U=3V,求电桥的输出电压UO为多大?

(1)、应变片的电阻相对变化量为:

ΔR/R=Kε=2.05×800×10-6;=1.64×10^3=0.164℅ 应变片的电阻变化量为: ΔR=R×ΔR/R=120×0.164℅=0.197Ω (2)、惠斯登电桥的输出电压为: U0=U×ΔR/4R=(1/4)×0.164℅×3=1.23mV

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1、金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用 机械变形 引起的电阻变化,后者利用 电阻率变化 变化引起的电阻变化。 2、变间隙式电容传感器常做成差动的,其主要目的之一是 提高灵敏度 ,目的之二是 抗干扰 ,目的之三是 改变非线性 。 3、设?x为绝对误差,A为被测量的实际值,x为被测量,xm为满度值,则示值相对误差表示为 ,实际相对误差表示为 ,引用相对误差表示为 。 4、一个理想的测试装置,其输入和输出之间应该具有 线性 关系为最佳。 5、电涡流传感器可以用于位移测量、 振动 和 厚度 等。(转速、温度、硬度) 6、热电偶的热电势包括两种不同导体 不同的电子密度 端 温度不同 。

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