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组件技术资料集锦 - 图文

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  • 2025/5/29 8:59:17

Q:

切痕片中有的片子漏电挺大的,到0.6左右,请问漏电大都和哪些因素有关? A:

1.\母硅\金属杂质含量,氧含量,位错分布和数量,以及无力缺陷(如线痕); 2.扩散厚度和均匀性,扩散工艺污染; 3.镀膜工艺污染;

4.浆料污染(主要是边缘铝); 5.过烧致使烧穿;

6.工艺过程导致的隐裂;

7.外部对镀膜/扩散层的划伤。不是工艺因素,但很常见。

Q:Isc由什么因素决定?

A:电池片短波长响应决定了电池的Isc,所以要提高Isc就必须要想办法提高短波响应,可以从以下几个方面考虑:

1.硅片少子寿命(硅片质量);

2.前表面复合和死层分布(钝化和扩散); 3.P-N结浓度梯度分布(扩散); 4.光陷构造(绒面和减反射膜); 5.受光面积(印刷);

6.粉尘和金属离子沾污(清洁,净化,清洗,卫生等)。 Q:

为什么电池片温度上升,功率下降? A:

太阳能电池的短路电流与温度间的关系不是很大,短路电流随着温度上升会略微增加,因为半导体禁带宽度通常随温度上升而减小。开路电压与FF会随着温度上升而减小。而且开路电压会近似线性的减小(由短路电流与开路电压之间的关系推出来的)。FF取决于归一化后的开路电压的值,所以FF也随温度升高而降低。故整体电池片温度上升,效率下降,功率也下降。 Q:

怎么判断助焊剂已经失效?看使用时间?PH?看浑浊度?标准时多少? A:

判断助焊剂失效的最简单的方法就是看生产日期,一般助焊剂保质期半年,但是好的助焊剂在8个月内也是可以用的。助焊剂在光照和高出常温的情况下会变质,尤其在光照下。在组件焊接用的助焊剂,由于在焊接过程中助焊剂中的活性剂的作用比松香较大(一般情况下),因此一般焊带在浸泡N次后就要倒掉,浸泡几次要根据各生产厂家产品的要求、工艺要求还有生产操作员的技术经验、助焊剂活性强弱等等来确定。而助焊剂活性强弱由几项指标决定,比如酸值ph值、固含量等等。有两种情况:第一,随着焊带的浸泡,助焊剂越来越糊,即越来越浑浊,一般做法是加新的助焊剂,再加助焊剂专业稀释剂(要保证组件焊接无虚焊和残留过多),其目的是使其助焊剂的比重相同,或者助焊剂的性能要一致,这样助焊剂能达到完全利用,不浪费。当然,一定要保证产品质量,因为随着焊带的浸泡,助焊剂的性能会发生变化,因此,应该注意后段的一些问题,比如虚焊、板面太脏外观难看、气泡、层压暴起等等问题;第二,随着焊带的浸泡,助焊剂越来越少,但是浑浊度变化不大,这种助焊剂我建议要换了,因为助焊剂里面的活性剂已经挥发的没有多少了。当然,这种助焊剂

松香含量比较少,焊接在板子上的残留自然要少得多。但是要注意这种助焊剂的腐蚀性大小和层压后板子的其他问题,比如焊带发黄、焊带发黑、层压气泡、层压暴起、组件寿命等等。 Q:

丝网正电极印刷后出现像大量结点、断栅之类,除了清洗之外都怎么处理? 顺便也问一下清洗都采用什么方法,手工还是浸泡? A:

这种电极报废的硅片,一般情况下要二次制作的。

最主要使用的是酸清洗,氢氟酸+硝酸等,手工+浸泡同时进行,手工可以辅助电极脱落,但要做好防护,安全很重要,腐蚀后的硅片比较薄,只是原来的一半厚度,易碎。后面就从第一道重新制作,但要和正常片分开。 Q:

那现在有没有公司能将丝网清洗过的电池片不经过制绒,或者是从后道工序做的? A:

那要看硅片是否是烧结后的了,没有烧结后的话,那称为擦拭片,用酒精擦拭一下,再用酸浸泡一下,就可以从丝网重新印刷了;如果是烧结后的,那要腐蚀过后从前到后重新制作了。 Q:

现在市场上背板的主要产品就是双面含氟和单面含氟的两种,他们各自的优缺点都有哪些?和EVA接触面含氟的好在哪里,不好又在哪里?单面含氟的和EVA接触面不用含氟的材料又有哪些缺点?和EVA接触面都需要进过处理吗(氟膜和非氟膜)?

A: falu001

双面含氟的与EVA的接触面必须经过表面处理,一般为电晕处理,否则粘接力会很差,有的厂家为了降低成本,只有一面进行电晕处理,在生产时就容易混淆,而单面含氟的E面一般是不做电晕处理的。

双面含氟由于有两层TEDLAR,所以其耐候性会比较好,但是价格较贵,而单面含氟只有一层TEDLAR,另一层为EVA,其目的是为了降低成本,另外是为了增强EVA与PET的粘接力,但是必须考虑单面含氟中的EVA与层压时用的EVA之间的匹配性,否则会没有效果,有时甚至会出现一些问题,另外由于只有一层有TEDLAR,所以耐候性会差一点。 Q:

loolorz

最近我们碰到一批单晶组件,几个月之前生产并且装箱的,最近打开测试之后发现实际功率都偏低百分之零点多,但是组件在这期间一直都处于密封状态,请问这样正常吗?为什么没有接触阳光也会有初始衰减呢?

A: solaray

先对比一下前后两次的:测试环境,模拟器工作状态,标准组件与测试组件的温度差。如果只是1W左右或2%的单项波动,应该是你们测试环节的问题。

tanbeilu

个人认为不能算问题,可能原因: 1.模拟器校准不可能完全一致; 2.测试时环境及组件温度不一致;

3.标准板是否与原来是同一块,即使同一块标准板也会衰减;

4.模拟器是否与原来是同一台设备。 Q:

livar

请问测试机是怎么利用标片来校准小标片,进而校准光强的?是通过电流或功率,具体是怎样的?

A: 子惜

校准具体很复杂,而且不同的厂家测试机校准原理不同,拿最常见的博格测试机来简单说明:

首先用有国际认证的标准片防止在测试位置,经行测试,测试结束后输入该片的功率或电流、温度尺寸等信息。

它会更具实测值与输入值得差距对接下来的测试数据进行电压、电流等参数的补偿,这样简单的步揍我们就称为校准了。

当然还有其他的测试方式,比如有些恒光源的测试,会有温度调节功能,一温度调节来左右电压等参数,最终实现与标片同数据。

无论是电压还是电流都是由氙灯发出额定光打在电池片上,由探针收集电池片上的电性能,并以此来计算出其他的数据。

Q:

rosesolar

近日在使用tyco接线盒时,发现组件在耐压、绝缘、性能测试之前,接线盒内二极管是良好的,测试后出现大量的击穿现象,进行分析像是高压击穿现象,但是不能很确定。

A: 玉皇山

会有这样的情况,和两方面都有关系:一是组件的结构(分部参数);二是二极管。先换一下接线盒试试吧。

Hulintao

总的来说,这些测试应该都和二极管没有关系,是不会影响到二极管的,发生这种情况我觉得也有两种可能:一是二极管本身性能不稳定,建议可以换新的二极管试试看;二是组件有漏电的情况,因为组件的电阻相当大,二极管的电阻却很小,基本上可以忽略,在测试高压的时候,电压会直接作用在组件上,所以对二极管其实是没有伤害的,但如果组件有漏电或者说性能不好的话,电阻会下降明显,这时候作用在组件上的高压就会作用在二极管上,从而损坏二极管。 tting361

一般说来,接线盒在出货之前会100%做耐高压测试的。因此,建议做以下检查,或许会有帮助:

1.如5楼所述,组件厂的耐高压测试是检查电池板和外框之间的绝缘性能,应该对二极管没有影响才对,并且高压往往会打到3000V,36000V,甚至6000V,然而,二极管的反向耐压只有几十伏特!稍有漏电,都有可能导致二极管的反向击穿(二极管相对于电池板是反向偏置的),因此,建议可考虑将二极管的正负极短接(以跳线短接形式),以保证在耐高压测试过程中没有反向电压降作用于二极管,以此观察一段时间,看情况如何;

2.电压的升高速度建议不大于500V/s(UL1703和IEC61215的规定)。太阳能电池在高压瞬间会类似一大容量的电容,也就是说会充电,后果是可能会产生反向高压作用于二极管,将二极管反向击穿!有的组件生产厂家将电压升高速度提高以提高生产效率。不妨先调低电压升高速度,观察一段时间; 3.可能是电池板漏电造成,更换好的二极管,再测试;

4.用其他家的盒子和同样的电池板和测试条件,问题是否重现; 5.投诉接线盒供应商,分析原因,虽然原因还不明了,起码一起找解决办法。 sunbird

先看一下车间的湿度是否过于干燥,低于40%的话就会有影响,低于20%的话就会有很大影响,湿度没有问题的话,再检查一下测试设备是否处于良好接触。我不认为你说的耐压、绝缘、性能测试后都会有大面积烧坏现象,而是某一项击穿现象比较厉害,所以建议再查一下此项目的测试设备。

Q:

andy-gao

每天总有这么1、2个组件在电极侧接近铝框处有大气泡,是什么原因? A: lianac 原因分析:

1玻璃清洗剂未能完全挥发,解决方法就是对玻璃清洗过程进行时间控制或者是购买玻璃清清洗机。

2EVA受潮,受潮后的EVA单位体积的重量会有变化.可以利用统计方法对比受潮EVA和正常EVA的质量差.需分析天平一台。 3加强横向焊接的工艺控制,要求手清洁,不能湿手操作。 另外,往层压机上抬组件的过程中也要注意。 大眼睛

建议你在层压时用胶带封一下你的引线出口。

Q:

马康

热班耐久试验通不过的主要原因有哪些?怎样解决? A:

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Q: 切痕片中有的片子漏电挺大的,到0.6左右,请问漏电大都和哪些因素有关? A: 1.\母硅\金属杂质含量,氧含量,位错分布和数量,以及无力缺陷(如线痕); 2.扩散厚度和均匀性,扩散工艺污染; 3.镀膜工艺污染; 4.浆料污染(主要是边缘铝); 5.过烧致使烧穿; 6.工艺过程导致的隐裂; 7.外部对镀膜/扩散层的划伤。不是工艺因素,但很常见。 Q:Isc由什么因素决定? A:电池片短波长响应决定了电池的Isc,所以要提高Isc就必须要想办法提高短波响应,可以从以下几个方面考虑: 1.硅片少子寿命(硅片质量); 2.前表面复合和死层分布(钝化和扩散); 3.P-N结浓度梯度分布(扩散); 4.光陷构造(绒面

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