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单项选择题:(每一道题1分) 第1章 原子结构与键合 1. 2. 3.
高分子材料中的C-H化学键属于 c 。
(B)离子键
(C)共价键
属于物理键的是 b 。
(B)范德华力 (B)离子键
(C)氢键 (C)金属键
化学键中通过共用电子对形成的是 a 。 (A)氢键 (A)共价键 (A)共价键 4. 5. 6. 7. 8. 9.
第2章 固体结构
面心立方晶体的致密度为 C 。
(B)68% (B)68% (B)68%
(C)74% (C)74% (C)74%
体心立方晶体的致密度为 B 。 密排六方晶体的致密度为 C 。 以下不具有多晶型性的金属是 a 。
(B)锰
(C)铁
(C){111} (C)hcp (C)细晶强化
面心立方晶体的孪晶面是 c 。
(B){110} (B)bcc
fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是 c 。 (A)100% (A)100% (A)100% (A)铜 (A){112} (A)fcc
10. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?c (A)复合强化 第3章 晶体缺陷
11. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系? (A)垂直
12. 能进行攀移的位错必然是 a 。 (A)刃型位错 (A)肖特基缺陷 (A)肖脱基缺陷 (A)孪晶铜 (A)3
第4章 固体中原子及分子的运动
17. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随 b 变化。 (A)距离
(B)时间
(C)温度
18. 在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为 c 。 (A)原子互换机制 (A)组元的浓度梯度
(B)间隙机制
(C)空位机制
(C)温度梯度
19. 原子扩散的驱动力是 b 。
(B)组元的化学势梯度
20. A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则 a 。
(B)螺型位错
(C)混合位错 (C)线缺陷 (C)堆垛层错 (C)亚共晶铝硅合金
(C)5
13. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为 b 。
(B)弗仑克尔缺陷 (B)Frank缺陷 (B)中碳钢 (B)4
14. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为b 15. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是b 16. 大角度晶界具有____c______个自由度。
(B)平行
(C)交叉
(B)弥散强化
(A)A组元的扩散速率大于B组元 (B)B组元的扩散速率大于A组元 (C)A、B两组元的扩散速率相同
21. 下述有关自扩散的描述中正确的为 c 。 (A)自扩散系数由浓度梯度引起 (B)自扩散又称为化学扩散
(C)自扩散系数随温度升高而增加
22. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是 b (A)间隙机制
第5章 材料的形变和再结晶
23. 在弹性极限?e范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为 b (A)包申格效应
(B)弹性后效
(C)弹性滞后
24. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是 a (A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向 (B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向 (C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向
25. bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,____c_____具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。 (A)bcc
(B)fcc
(C)hcp
(C)相邻位错的距离越大
26. a ,位错滑移的派-纳力越小。 (A)位错宽度越大 (A)200?C (A)350?C
(B)滑移方向上的原子间距越大
27. 已知Cu的Tm=1083?C,则Cu的最低再结晶温度约为 b 。
(B)270?C (B)450?C
(C)350?C (C)550?C
28. 已知Fe的Tm=1538?C,则Fe的最低再结晶温度约为 b 。 29. Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:a
(A)溶质原子再扩散到位错周围 (B)位错增殖的结果 (C) 位错密度降低的结果 30. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的____a__________阶段。 (A)回复
动 (A)曲率中心 (A)小角度晶界 (A)回复阶段
(B)曲率中心相反 (B)孪晶界 (B)再结晶阶段
(C)曲率中心垂直
32. 纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核 b
(C)外表面
(C)晶粒长大阶段
33. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在 a 。 34. 形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是 a 。 (A)点缺陷的明显下降 (B)形成亚晶界
(C)位错重新运动和分布
35. 对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为 c 。 (A)晶界合并
(B)晶界迁移
(C)晶界弓出
36. 开始发生再结晶的标志是:b
(A)产生多变化
(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 (C)晶粒尺寸显著增大
37. 由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在______c_____部位不易形核。
(B)再结晶
(C)晶粒长大
31. 再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着___b___________方向移
(B)空位机制
(C)交换机制
(A)大角度晶界和孪晶界
(B)相界面 (C)外表面
第6章 单组元相图及纯晶体的凝固
38. 凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界半径时,
体系的自由能变化 a 。 (A)大于零 (B)等于零 (C)小于零 39. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的 b 。 (A)1/3 (B)2/3
(C)3/4 40. 以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是 b 。
(A)金属锗 (B)氯化铵晶体 (C)氧化硅 41. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为 a 。(A)树枝晶
(B)柱状晶
(C)胞状晶 42. 凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法?b (A)加入形核剂
(B)减小液相过冷度
(C)对液相实施搅拌
第7章 二元系相图及其合金的凝固
43. 在二元系合金相图中,计算两相相对量的杠杆法则用于 b 。 (A)单相区中
(B)两相区中
(C)三相平衡水平线上 44. 对离异共晶和伪共晶的形成原因,下述说法正确的是 b 。 (A)离异共晶只能经非平衡凝固获得 (B)伪共晶只能经非平衡凝固获得
(C)形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分
45. 任一合金的有序结构形成温度 a 无序结构形成温度。 (A)低于
(B)高于
(C)可能低于或高于
多项选择题:(每一道题2分)
1. 以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是 ac 。
(A)共价键
(B)离子键
(C)氢键
(D)金属键
(E)范德华力
2. 晶体区别于其它固体结构的基本特征有 abce 。 (A)原子呈周期性重复排列 (B)长程有序 (C)具有固定的熔点(D)各向同性 3. 以下具有多晶型性的金属是 bce 。
(A)铜 (B)铁 (C)锰 (D)钛 (E)钴 4. 以下 abce 等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。 (A)镁
(B)锌
(C)镉
(D)铬
(E)铍
5. 铁具有多晶型性,在不同温度下会形成 ab 等晶体结构。
(A)面心立方 (B)体心立方 (C)简单立方 (D)底心立方 (E)密排六方 6. 具有相同配位数和致密度的晶体结构是 a e 。 (A)面心立方
(B)体心立方
(C)简单立方 (D)底心立方 (E)密排六方
第6章 7.
关于均匀形核,以下说法正确的是 acd 。
(A)体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二 (B)非均匀形核比均匀形核难度更大 (C)结构起伏是促成均匀形核的必要因素 (D)能量起伏是促成均匀形核的必要因素 (E)过冷度△T越大,则临界半径越大 8.
以下说法中, abcd 说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。 (A)非均匀形核所需过冷度更小
E)各向异性 ((B)均匀形核比非均匀形核难度更大
(C)一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大 (D)均匀形核试非均匀形核的一种特例
(E)实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核 9.
晶体的长大方式有 ade 。
(C)平面生长 (D)二维形核生长 (E)螺型位错生长
(C)增大液相过冷度(D)增加保温时间(E)施加机械振动
(A)连续长大 (B)不连续长大 (A)加入形核剂 第7章
11. 二元相图中,属于共晶方式的相转变有 abcd 。
(A)共晶转变 (B)共析转变 (C)偏晶转变 (D)熔晶转变 (E)合晶转变
12. 二元相图中,属于包晶方式的相转变有 abc 。
(A)包晶转变 (B)包析转变 (C)合晶转变 (D)偏晶转变 (E)熔晶转变
13. 二元相图必须遵循以下几何规律: abcde 。 (A)相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分
(B)两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开,而不能以一条线接界 (C)两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开 (D)二元相图中的三相平衡必为一条水平线
(E)两相区与单相区的分界线与等温线相交时,其延长线应进入另一两相区内
14. 构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件: acde 。 (A)具有相同的晶体结构,晶格常数相近 (B)具有相同的熔点 (C)具有相同的原子价 (D)具有相似的电负性 (E)原子半径差小于15%
15. 固溶体的平衡凝固包括 abd 等几个阶段。 (A)液相内的扩散过程
判断题:(在题后括号内填入“对”或“错”,每题 1分,共 15 分) 第一章 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12.
离子键的正负离子相间排列,具有方向性,无饱和性。 (错) 共价键通过共用电子对而成,具有方向性和饱和性。 (对) 同位素的原子具有相同的质子数和中子数。 (错)
复杂晶胞与简单晶胞的区别是,除在顶角外,在体心、面心或底心上有阵点。 (对) 晶体结构的原子呈周期性重复排列,即存在短程有序。 (错) 立方晶系中,晶面族{111}表示正八面体的面。 (对) 立方晶系中,晶面族{110}表示正十二面体的面。 (对)
晶向指数和晶面指数 ( h k l )中的数字相同时,对应的晶向和晶面相互垂直。 (对) bcc的间隙不是正多面体,四面体间隙包含于八面体间隙之中。 (对) 溶质与溶剂晶体结构相同是置换固溶体形成无限固溶体的必要条件。 (对)
非金属和金属的原子半径比值rx/rm>0.59时,形成间隙化合物,如氢化物、氮化物。 (错) 晶体中的原子在空间呈有规则的周期性重复排列;而非晶体中的原子则是无规则排列的。 (对) (E)液固界面的运动
(B)固相内的扩散过程
(C)液相的长大
(D)固相的继续长大
10. 控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有 ace 。
(B)减小液相过冷度
第二章
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