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微波电子线路大作业
——低噪声功率放大器设计
班级:021013班 学号:02011268 姓名:
低噪声放大器的设计
一、设计要求:
已知GaAs FET在4 GHz、50 Ω系统中的S参数和噪声参量为
S11=0.6∠-60°,S21=1.9∠81°,
S12=0.05∠26°,S22=0.5∠-60° Fmin=1.6 dB Γout=0.62∠100°RN=20 Ω
设计一个低噪声放大器,要求噪声系数为2 dB,并计算相应的最大增益。 若按单向化进行设计,则计算GT的最大误差。
二、低噪声放大器设计原理及思路
1.1低噪声放大器功能概述
低噪声放大器是射频/微波系统的一种必不可少的部件,它紧接接收机天线,放大天线从空中接收到的微弱信号。低噪声放大器在对微弱信号放大的同时还会产生附加于扰信号,因此它的设计目标是低噪声,足够的增益,线性动态范围宽。低噪声放大器影响整机的噪声系数和互调特性,分析如下 (1) 系统接收灵敏度: Smin??114(dBm/Hz)?NF?10logBW(MHz)?S/N(dB)Fn?1F2?1F3?1Ftot?F1?????GA1GA1GA2GA1GA2?GAn(2) 多个级连网络的总噪声系数
1.2 放大器工作组态分类
A类放大器(导通角360度,最大理论效率50%)用于小信号、低噪声,通常是接收机前端放大器或功率放大器的前级放大。B类(导通角180度,最大理论效率78.5%)和C类(导通角小于180度,最大理论效率大于78.5% )放大器电源效率高,愉出信号谐波成分高,需要有外部混合电路或滤波电路.由B类和C类放大器还可派生出D类、E类、P类等放大器。
1.3 放大器常用元器件 ① 两端负阻的二极管器件 ? 变容二极管 :参量放大 ? 隧道二极管:隧道效应 ? 耿氏二极管:转移电子
? 碰撞雪崩渡越时间二极管:雪崩渡越时间
特点:应用于放大器电路的早期器件,制造比较容易、便宜,但是两端口器件实现增益的相关电路价格确比较昂贵,且稳定性较差,调试工作困难。 ② 三端的晶体管器件 ? 双极晶体管(BJT)
? 金属半导体场效应管 (MESFET) ? 拟晶态高电子迁移率晶体管(PHEMT) ? 异质结晶体管(HBT) 1.4 放大器的技术参数
(1)频率范围:放大器的工作频率范围是选择器件和电路拓扑设计的前提。 (2)增益:它是放大器的基本指标。按照增益可确定放大器的级数和器件类型。
? 实际功率增益:负载吸收功率与二端口网络输入端吸收功率之比,
与源阻抗无关,与负载阻抗有关 ;
? 资用功率增益:二端口网络输入资用功率与输出资用功率之比,
源端和负载端均共扼匹配,与源阻抗有关,与负载阻抗无关。它表示放大器增益的最大潜力;
? 转换功率增益:负载吸收功率与二端口网络输入端的资用功率之
比,与两端阻抗都有关。
实际增益测量时,常用插入法,即用功率计先测信号源能给出的功率P1;再把放大器接到信源上,用同一功率计测放大器输出功率P2,功率增益就是
低噪声放大器都是按照噪声最佳匹配进行设计的。噪声最佳匹配点并非最大增益点,因此增益G要下降。噪声最佳匹配情况下的增益称为相关增益。通常,相关增益比最大增益大概低2-4dB。 (3) 噪声系数
放大器的噪声系数是输入信号的信噪比与输出信号的信噪比的比值,表示信号经过放大器后信号质量的变坏程度。级联网络中,越靠前端的元件对整个噪声系数的影响越大,在接收前端:必须做低噪声设计。放大器的设计要远离不稳定区。噪声的好坏主要取决于器件和电路设计。 (4)动态范围
放大器的线性工作范围。最小输入功率为接收灵敏度,最大输入功率是引起1dB 压缩的功率。放大器自身产生的噪声常用等效噪声温度Te来表达。噪
Te?T0?(F?1)。式中T0为环境温度,通常声温度Te与噪声系数F的关系是
P2G?P1取为293K。根据公式,可以计算出常用的噪声系数和与之对应的噪声温度。 (5)非线性特性
常用三阶交调截点P3rd来表征放大器电路的非线性特性,三阶交调截点的典型值比P1dB高10dB。 (6)稳定性
放大器电路的首要条件之一是其在工作频段内的严格稳定性,这一点对微波射频电路是非常重要的,因为射频电路在某些工作频率和终端条件下有产生振荡的倾向。
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