模电1-3章课后习题

15．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。 A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺 16．N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。 A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素

17.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态

18.电路如图所示，若更换晶体管，使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（ C ）。

A、约为原来的一半 B、基本不变 C、约为原来的2倍 D、约为原来的4倍

19. 当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（ D ）。 A、增大集电极电阻RC B、改换β大的晶体管 C、减小基极偏置电阻RB D、增大基极偏置电阻RB

20.温度上升时，半导体三极管的（ A ）。

A、β和ICBO增大，uBE减小 B、β和uBE增大，ICBO减小 C、uBE和ICBO增大，β减小 D、β、uBE和ICBO均增大

21.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是（ D ）。

A、共集电极放大电路 B、共基极放大电路 C、共漏极放大电路 D、共射极放大电路

22.在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别是（ C ）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的β=100。 A．5.6kΩ、10 kΩ B. 5.6kΩ、510 Ω C．5.6kΩ、1MΩ D. 100kΩ、1MΩ

23-30题的图

23.已知下图所示放大电路中的Rb=100kΩ，Rc=1.5 kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于（ b ）。 A．放大状态 B. 饱和状态 C．截止状态 D. 状态不定

24.在下图所示放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（c）。 A．放大电流 B. 调节IBQ

C．防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D. 调节ICQ 25.对于下图所示的放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为（a）；当测得UCE≈0时，有可能是因为（d）。 A．Rb开路 B. RＬ短路 C．Rc开路 D. Rb过小

26．对于图示放大电路，若VCC＝12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA,今用直流电压表测得UCE＝8V，这说明（d）。 A．工作正常 B. 三极管c-e极间开路 C．三极管b-e极间短路 D. 电容C2短路

27.对于图示电路，若仅当Rb增加时，UCEQ将（a）；仅当Rc减小时，UCEQ将（a）；仅当RL增加时，UCEQ将（c）；仅当β减小（换三极管）时，UCEQ将（a）。 A．增大 B. 减小 C．不变 D. 不定

28.在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（B）；若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb后，失真消失了，这失真必是（A）。 A．截止失真 B. 饱和失真 C．双重失真 D. 交越失真

29.对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管IBQ（A），ICQ（A），UCEQ（B）。 A．增大 B. 减小

C．不变（或基本不变） D. 不定

30.在图示共射极偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于（b）。

A．放大状态 B. 饱和状态 C．截止状态 D. 状态不定

31.32.33图

30.对于图示放大电路，若仅当Rb增加时，UCEQ将（a）；仅当Rc减小时，UCEQ将（a）；仅当RL增加时，UCEQ将（c）；仅当β减小（换三极管）时，UCEQ将（c）。 A．增大 B. 减小 C．不变 D. 不定

32.在图示共射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，该电路的最大不失真输出电压幅值Vom（c），放大倍数Av（b）。输入电阻Ri..（a），输出电阻Ro（c）；若仅是RL增大，则Av（a），Ri（c），Ro（c）；若仅

.是?增大，则Av（a），Ri（c），Ro（c）。 A．增大 B. 减小 C．不变 D. 不定

33.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c），而少数载流子的浓度则与（a）有很大关系。

A．温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

34.当PN结外加正向电压时，扩散电流（a）漂移电流，耗尽层（e），当PN结外