模电1-3章课后习题

43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是 饱和 失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的 ICBO 、 VBE 和 β 三个参数的变化，引起工作点 上移 ；输出波形幅度增大，则是因为 β 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 共射、共基 ；若希望带负载能力强，应选用 共集 组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用 共集 组态。

选择

1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（ B ）。 A、UAB＝－12V B、UAB＝－6V C、UAB＝＋6V D、UAB＝＋12V

2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（ C ）。 A、I＝2mA B、I＝0mA C、I＝1.5mA D、I＝－1.5mA

3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（ A ）。

A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管

4. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC＝12V，UB＝1.8V和UE＝0V，则该管是处于（ D ）。

A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏

5. 有人选用最大允许集电极电流ICM＝20mA，最大允许电压UCEO＝20V，集电极最大允许耗散功率PCM＝100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC＝15mA，UCE＝10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。 A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏 6. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ）。

A、10kΩ B、2kΩ C、1kΩ D、0.5kΩ

7. 放大电路如图所示，如UCC>>UBE，且ICEO≈0，则在静态时，该三极管工作的状态是（ B ）。

A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不定

8. 电路如图所示，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（ C ）。 A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。 B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。 C、不影响静态工作点，只影响电压增益。 D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。

9．两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为A1和A2，如果将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（ D ）。 A、A1+ A2 B、A1×A2 C、>|A1×A2 | D、<|A1×A2 |

10. 场效应管本质上是一个（ C ）。双极型三极管本质上是一个（ A ）。 A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件

C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件 11．N沟道JFET的跨导gm是（ C ）。

A、一个固定值 B、随电源电压VDD增加而加大

C、随静态栅源电压VGS增加而加大 D、随静态栅源电压VGS增加而减小 12．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A ）。 A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFET

C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET

13．已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（ D ）。 A、P沟道增强型MOSFET B、N沟道JFET

C、P沟道耗尽型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET

14．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）。

A、0.6V；0.6V B、0.6V；0.1V C、0.1V；0.6V D、0.1V；0.1V