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nmos和pmos设计

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  • 2025/7/10 23:58:15

《微电子技术综合实践》设计报告

道的网格进一步进行细化,以便进行仿真时,能得到更好的结果。

3.2 Dessis模块建立 3.2.1 建立Dessis模块

如下图所示,右击Family Tree中MDraw工具,在下拉菜单Add中选择Dessis工具加入Family Tree中。

13

《微电子技术综合实践》设计报告

3.2.2 进行Dessis语言编程

在dessis_des.cmd文件中编辑nMOS和pMOS器件的仿真程序。 编程语言如下:

Id-Vd特性模拟:

Electrode {

{ Name=\ Voltage=0 } { Name=\ Voltage=0 } { Name=\ Voltage=0 } { Name=\}设置接触点contact所加的电压 File {

Grid = \ Doping = \ Current = \ Plot = \

Output = \前两行是输入文件名,后三行为输出文件名

Plot {

Potential Electricfield eDensityhDensity

eCurrent/VectorhCurrent/Vector TotalCurrent/Vector

SRH Auger Avalanche eMobilityhMobility

eQuasiFermihQuasiFermi

eGradQuasiFermihGradQuasiFermi eEparallelhEparallel eMobilityhMobility eVelocityhVelocity

DonorConcentrationAcceptorconcentration Doping SpaceCharge ConductionBandValenceBand BandGap Affinity xMoleFraction }需要求解的参数 Math {

14

《微电子技术综合实践》设计报告

Extrapolate

NotDamped=100 Iterations=40

NewDiscretization Derivatives RelerrControl

-CheckUndefinedModels }数值计算时的配置 Physics {

Recombination( Avalanche(CarrierTempDrive))

Mobility(DopingDepHighFieldSaturation(CarrierTempDrive) Enormal)

EffectiveIntrinsicDensity(oldSlotboom) Hydro }

Physics(MaterialInterface=\charge(Conc=4.5e+10) }使用的物理模型 Solve {

Coupled( Iterations=100 ){Poisson}

Coupled( Iterations=100 ){ poissonelectron }用泊松方程模拟

Quasistationary ( InitialStep=0.02 MaxStep=0.5 Minstep=1.e-8 Increment=1.2

Goal {Name=\ ) { Coupled { poissonelectron } }使用准静态模型 Quasistationary ( InitialStep=1.e-2 MaxStep=0.01 Minstep=1.e-8 Increment=1.2

Goal { Name=\ ) { Coupled{poissonelectron }

}只模拟电子运动,不考虑空穴 }设计过程

Id-Vg特性模拟:

15

《微电子技术综合实践》设计报告

Electrode {

{ Name=\ Voltage=0 } { Name=\ Voltage=0 } { Name=\ Voltage=1 } { Name=\}设置接触点contact所加的电压 File {

Grid = \ Doping = \ Current = \ Plot = \ Output = \

}前两行是输入文件名,后三行为输出文件名 Plot {

Potential Electricfield eDensityhDensity

eCurrent/VectorhCurrent/Vector TotalCurrent/Vector

SRH Auger Avalanche eMobilityhMobility

eQuasiFermihQuasiFermi

eGradQuasiFermihGradQuasiFermi eEparallelhEparallel eMobilityhMobility eVelocityhVelocity

DonorConcentrationAcceptorconcentration Doping SpaceCharge ConductionBandValenceBand BandGap Affinity xMoleFraction

}需要求解的参数 Math {

Extrapolate

NotDamped=100 Iterations=40

NewDiscretization Derivatives RelerrControl

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《微电子技术综合实践》设计报告 道的网格进一步进行细化,以便进行仿真时,能得到更好的结果。 3.2 Dessis模块建立 3.2.1 建立Dessis模块 如下图所示,右击Family Tree中MDraw工具,在下拉菜单Add中选择Dessis工具加入Family Tree中。 13 《微电子技术综合实践》设计报告 3.2.2 进行Dessis语言编程 在dessis_des.cmd文件中编辑nMOS和pMOS器件的仿真程序。 编程语言如下: Id-Vd特性模拟: Electrode { { Name=\ Voltage=0 } { Name=\ Voltage=0 } { Name=\

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