云题海 - 专业文章范例文档资料分享平台

当前位置:首页 > nmos和pmos设计

nmos和pmos设计

  • 62 次阅读
  • 3 次下载
  • 2025/7/10 23:57:33

《微电子技术综合实践》设计报告

接触设定以后,进行文件保存。器件Boundary的保存文件扩展名为 *.bnd。要保存边界文件,打开File →Save As。下一步进行脚本文件保存,File →Save Scrip File。脚本文件全称为:工作文件名如SiC-MESFET /mdraw_mdr.tcl。 3.1.3 进行器件掺杂

进行区域掺杂,运行环境由Boundary切换到Doping。 掺杂参数: nMOS:

对衬底进行掺杂,衬底掺杂类型为均匀浓度掺杂,优化后的衬底掺杂浓度为Na=1.36e+16cm-3,是B掺杂。

对源漏区进行掺杂,掺杂类型为高斯掺杂,掺杂浓度为1e20,是As掺杂,节深为0.4um。

对多晶硅栅进行掺杂,掺杂类型为均匀掺杂,掺杂浓度为1e20, 是As掺杂。

9

《微电子技术综合实践》设计报告

pMOS:

对衬底进行掺杂,衬底掺杂类型为均匀浓度掺杂,优化后的衬底掺杂浓度为Na=5e14cm-3,是P掺杂。

对源漏区进行掺杂,掺杂类型为高斯掺杂,掺杂浓度为1e20,cm-3是B掺杂,节深为0.4um。

对多晶硅栅进行掺杂,掺杂类型为均匀掺杂,掺杂浓度为1e20,是As掺杂。

10

《微电子技术综合实践》设计报告

11

《微电子技术综合实践》设计报告

掺杂确定以后,点击Build Mesh显示掺杂后的网格。

细化网格:把原始网格划分成为更小的网格,网格划分的越小

在器件仿真时更加接近器件真实情况。

器件的主要工作部分是源、漏区和沟道层,有必要对沟

12

搜索更多关于: nmos和pmos设计 的文档
  • 收藏
  • 违规举报
  • 版权认领
下载文档10.00 元 加入VIP免费下载
推荐下载
本文作者:...

共分享92篇相关文档

文档简介:

《微电子技术综合实践》设计报告 接触设定以后,进行文件保存。器件Boundary的保存文件扩展名为 *.bnd。要保存边界文件,打开File →Save As。下一步进行脚本文件保存,File →Save Scrip File。脚本文件全称为:工作文件名如SiC-MESFET /mdraw_mdr.tcl。 3.1.3 进行器件掺杂 进行区域掺杂,运行环境由Boundary切换到Doping。 掺杂参数: nMOS: 对衬底进行掺杂,衬底掺杂类型为均匀浓度掺杂,优化后的衬底掺杂浓度为Na=1.36e+16cm-3,是B掺杂。 对源漏区进行掺杂,掺杂类型为高斯掺杂,掺杂浓度为1e20,是As掺杂,节深为0.4um。 对多晶硅栅进行掺杂,掺杂类型为均匀掺杂,掺杂浓度为1e20, 是As掺杂。 <

× 游客快捷下载通道(下载后可以自由复制和排版)
单篇付费下载
限时特价:10 元/份 原价:20元
VIP包月下载
特价:29 元/月 原价:99元
低至 0.3 元/份 每月下载150
全站内容免费自由复制
VIP包月下载
特价:29 元/月 原价:99元
低至 0.3 元/份 每月下载150
全站内容免费自由复制
注:下载文档有可能“只有目录或者内容不全”等情况,请下载之前注意辨别,如果您已付费且无法下载或内容有问题,请联系我们协助你处理。
微信:fanwen365 QQ:370150219
Copyright © 云题海 All Rights Reserved. 苏ICP备16052595号-3 网站地图 客服QQ:370150219 邮箱:370150219@qq.com