nmos和pmos设计

《微电子技术综合实践》设计报告

接触设定以后，进行文件保存。器件Boundary的保存文件扩展名为 *.bnd。要保存边界文件，打开File →Save As。下一步进行脚本文件保存，File →Save Scrip File。脚本文件全称为：工作文件名如SiC-MESFET /mdraw_mdr.tcl。 3.1.3 进行器件掺杂

进行区域掺杂，运行环境由Boundary切换到Doping。 掺杂参数： nMOS：

对衬底进行掺杂，衬底掺杂类型为均匀浓度掺杂，优化后的衬底掺杂浓度为Na=1.36e+16cm-3，是B掺杂。

对源漏区进行掺杂，掺杂类型为高斯掺杂，掺杂浓度为1e20,是As掺杂,节深为0.4um。

对多晶硅栅进行掺杂，掺杂类型为均匀掺杂，掺杂浓度为1e20， 是As掺杂。

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pMOS：

对衬底进行掺杂，衬底掺杂类型为均匀浓度掺杂，优化后的衬底掺杂浓度为Na=5e14cm-3，是P掺杂。

对源漏区进行掺杂，掺杂类型为高斯掺杂，掺杂浓度为1e20,cm-3是B掺杂，节深为0.4um。

对多晶硅栅进行掺杂，掺杂类型为均匀掺杂，掺杂浓度为1e20，是As掺杂。

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掺杂确定以后，点击Build Mesh显示掺杂后的网格。

细化网格：把原始网格划分成为更小的网格，网格划分的越小

在器件仿真时更加接近器件真实情况。

器件的主要工作部分是源、漏区和沟道层，有必要对沟

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