线性电子电路

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浙江省2007年7月高等教育自学考试

线性电子电路试题

课程代码：02340

一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)

请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。

1.杂质半导体中的多数载流子是由________产生的，少数载流子是由________产生的。 2.利用晶体二极管的________和________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。 3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=________IB，IE=________IB。

4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是________电容，集电结的结电容主要是________电容。 5.就VGS而言，增强型MOS管是________极性的，而耗尽型MOS管是________极性的。

6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结________中的________来实现的。

7.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为________失真，这时输出信号中将产生________频率成份。

8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为________。采用电容耦合方式是否存在这种现象？________。 9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的________。

10.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用________负反馈；若希望负载变化输出电压稳定，则应引入________负反馈。

二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1.当PN结外加正向电压时，扩散电流________漂移电流。（ ） A.大于 C.等于

B.小于 D.近似等于

2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将（ ） A.增大 C.不变

B.减小 D.近似不变

3.当半导体二极管的反向击穿电压大于6V，主要发生何种击穿现象？（ ） A.雪崩击穿 C.热击穿

B.齐纳击穿 D.碰撞击穿

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4.随着温度的升高，晶体三极管的________将变小。（ ） A.β C.ICBO

B.VBE(on) D.ICEO

5.某晶体三极管的iB从20μA变化到40μA时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（ ） A.100 B.150 C.200

D.300

6.PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（ ） A.VBE>0,VCB>0 B.VBE>0,VCB<0 C.VBE<0,VCB>0

D.VBE<0,VCB<0

7.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V，则该管不可能是一个（ ） A.P沟道结型管 B.N沟道结型管 C.P沟道耗尽型MOS管

D.N沟道增强型MOS管

8.当场效应管工作在________区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。

A.饱和 B.截止 C.非饱和

D.击穿

9.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的（ ） A.和值 B.差值 C.迭加

D.平均值

10.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC，-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于（ A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态

D.击穿状态

11.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关，但基本放大器（ A.可以去掉 B.不能去掉 C.不一定

D.并不重要

12.负反馈放大电路不自激的条件是（ ） A.?T(ω0)=π,T(ω0)>1 B.?T(ω0)=-π,T(ω0)>1 C.?T(ω0)=π,T(ω0)=1

D.?T(ω0)=-π,T(ω0)<1

13.对于电流串联负反馈而言，下列哪个回答是正确的？（ ） A.输入电阻变大，输出电阻变大 B.输入电阻变大，输出电阻变小 C.输入电阻变小，输出电阻变大

D.输入电阻变小，输出电阻变小

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） ） ） （

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14.集成运算放大器实质上是一种（ ） A.交流放大器

C.高电压增益的直接耦合放大器

B.高电压增益的交流放大器 D.高增益的高频放大器

15.集成运放组成比较器电路时，工作在（ ） A.限幅区 C.截止区

B.过渡区 D.线性区

三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)

1.设二极管为理想，试判断图三（1）电路中，二极管D是否导通，并求VAO的值。

2.已知晶体三极管的静态工作电流ICQ=1mA，|VA|=100V，β=100，试确定混合π型电路模型参数rb′e、gm和rce的值。

3.图三（3）所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型？并指出它的VGS（th）或VGS（off）等于何值？（图中iD的假定正向为流进漏极）

四、分析计算题(本大题共4小题，共35分)

1.（9分）放大电路如图四（1）所示，设所有电容对交流均视做短路。 已知rbb′=0,rb′e=2.8kΩ，rce忽略不计，β=100，试求： （1）放大器输入电阻Ri；

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（2）放大器输出电阻Ro； （3）放大器电压增益Av。

2.（9分）差分放大电路如图四（2）所示，已知T1，T2参数对称，β=100,rbb′=0Ω,I=2mA 求：（1）T1的静态工作点（ICQ1、VCQ1）； （2）差模电压增益Avd的值。

3.（9分）反馈放大电路如图四（3）所示： （1）判断级间反馈的类型和极性；

（2）设电路满足深负反馈条件，求电路闭环电压增益Avf=vo/vi的表达式。

4.（8分）理想运放组成的电路如图四（4）所示，试求输出电压vo与输入电压vi的关系式，并说明A1、A2实现的

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