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模电A考题统考试

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  • 2025/12/12 9:10:22

浙江科技学院考试试卷

命题:

一、填空题(每空1分,共18分)

1、PN结的电击穿可以分为___齐纳击穿___和__雪崩击穿___两种类型,若掺杂半导体掺杂浓度高,则容易产生___齐纳___击穿。

2、在放大电路中,测得某三极管三个电极对地的电位分别是:VA=9V,VB =6.7V,

VC=6V,该管是 NPN 型的硅管,A端为管子的 集电 极,B端为管子

基极。

3、在图 1.1的放大电路中,当Rb增加时,UCEQ将 增加 (.增加、减小或不变,下同); RL增加时,UCEQ将 不变 ;因更换管子?减小时,UCEQ将 增加 。

图1.1

4、在图1.2所示电路中调整管为 T1管 ,采样电路由 R1R2R 组成,比较放大电路由 T2管 组成,保护电路由 R0T3管 组成 。 ………………………………………………………………

图1.2

5、为了使放大电路的输入电阻减小,输出电阻增大,应引入___电流并联___负反馈。

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浙江科技学院考试试卷

6、产生正弦波振荡的振幅平衡条件是__AF=1___ 、相位平衡条件是_?a??f?2n?(n?0,1,2.... 。

7、双端输入、双端输出的差动放大电路,若?Ui1??1500?V,?Ui2??500?V, 则可知该差动放大电路差模输入电压?Uid= 1000uf ,共模输入电压?Uic= 1000uf 。

8、 PN结最重要的特性是___单向导电性 ,它是一切半导体器件的基础。 二、选择题(每题1分,共10分)

1、三极管工作在放大状态的条件是___B______。

A、发射结正偏,集电结正偏 B、发射结正偏,集电结反偏 C、发射结反偏,集电结反偏 D、发射结反偏,集电结正偏 2、场效应管的工作原理是____D_____。

A、输入电流控制输出电流 B、输入电流控制输出电压 C、输入电压控制输出电压 D、输入电压控制输出电流 3、硅稳压二极管正常稳压时,应当工作于___B______。

A、反向未击穿状态B、反向击穿状态C、正向导通状态 D、正向未导通状态 4、三极管电流源电路的特点是___B_____。

A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大

5、制作频率为20Hz~20kHz的音频信号发生电路,应选用 A 。 …………………………………………………… A、RC桥式正弦波振荡电路 B、LC正弦波振荡电路 C、石英晶体正弦波振荡电路 D、以上都不合适 6、多级放大电路的级数越多,则其____A____。

A、放大倍数越大,且通频带越窄 B、放大倍数越大,且通频带越宽 C、放大倍数越小,且通频带越宽 D、放大倍数越小,且通频带越窄 7、LC正弦波振荡电路的振荡频率是____C____。 A、fo?1LC B、fo?2?1LC C、fo?12?LC D、fo?1 2?LC第 2 页 共 4 张

浙江科技学院考试试卷

8、在单相桥式整流、电容滤波电路中,电源电压为正弦波,其有效值为u2=20V,f=50Hz。若实际测得其输出电压约为28.28V,这是由于___D_____的结果。 A、C 开路 B、C 的容量过小 C、C 的容量偏大 D、RL开路 9、放大器的上限频率fh主要是由____A_____。

A、管子的极间电容决定的 B、耦合电容C1决定的 C、耦合电容C2决定的 D、旁路电容Ce决定的

10、放大器的Au=100,输入电阻为10K欧姆,但引入反馈系数为Fu=0.09的串联电压负反馈后,电压放大倍数和输入电阻为___B_____。

A、Auf=9 Rif=100KΩ B、Auf=10 Rif=100KΩ C、Auf=10 Rif=90KΩ D、Auf=9 Rif=90KΩ

三、判断题:(认为命题正确者在()中打√;反之打×,每空2分,共10分) 1、 三极管放大电路的三种基本组态中,共集电极放大电路带负载的能力最强。( ) 2、 因为差动放大电路采用了直接耦合方式,故它只能放大直流信号。( ) 3、 三极管乙类互补对称,功率放大电路不产生交越失真。( )

4、 直流负反馈可以稳定放大电路的直流工作点,交流负反馈可以改善放大电路的

性能指标。( )

5、 放大电路中只要有正反馈,就一定能产生自激振荡。( ) 四、简答题(3题,共12分)

1、电路及其输入波形如图4.1所示,稳压管稳压值都为5V,且其正向导通压降都为0,画出输出u0波形,并在图形中标出电压值。(本题4分) …………………………………………………………

图4.1

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浙江科技学院考试试卷

5V t -5V Vi的波形

t

Vo的波形

2、将4.2所示电路联接成RC文氏电桥正弦波振荡电路。(本题4分)

图4.2

3、电路如图4.3所示,Vi?8sinwtV,D1,D2为理想二极管,DZ为稳压管,稳压值为…………………………………………………… 5V,正向导通电压为零,画出V0波形,并在图形中标出电压值。(本题4分)

图4.3

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浙江科技学院考试试卷 命题: 一、填空题(每空1分,共18分) 1、PN结的电击穿可以分为___齐纳击穿___和__雪崩击穿___两种类型,若掺杂半导体掺杂浓度高,则容易产生___齐纳___击穿。 2、在放大电路中,测得某三极管三个电极对地的电位分别是:VA=9V,VB =6.7V, VC=6V,该管是 NPN 型的硅管,A端为管子的 集电 极,B端为管子 基极。 3、在图 1.1的放大电路中,当Rb增加时,UCEQ将 增加 (.增加、减小或不变,下同); RL增加时,UCEQ将 不变 ;因更换管子?减小时,UCEQ将 增加 。 图1.1 4、在图1

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