“战略性先进电子材料”重点专项2016年度项目申报指南（指南编制专家名单、形式审查条件要求）

1.3.1 中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范

研究内容：研究6英寸低缺陷低阻碳化硅单晶材料生长及高均匀度外延关键技术；开展600~1700 V碳化硅MOSFET器件设计仿真及制备工艺技术的研究；突破多芯片均流等关键封装技术，实现碳化硅全桥功率模块；研制基于全碳化硅器件的电动汽车无线和有线充电装备，并开展示范应用。

考核指标：碳化硅单晶材料直径≥6英寸，微管密度≤0.5个/cm2，电阻率≤30 mΩ·cm；实现6英寸n型外延材料，表面缺陷密度≤5 cm2、外延厚度≥200μm，实现p型重掺杂外延材料；碳

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化硅MOSFET芯片容量≥1200 V/100 A，模块容量≥1200 V/200 A；无线充电装备容量≥60 kW，总体效率≥92%，有线充电装备容量≥400 kW，总体效率≥96%。形成1~2件国家/行业标准。

预期成果：打造全产业链SiC技术研发平台和产业化基地，培养一批领军型创新创业人才，申请发明专利50项，发表论文25篇，带动行业新增产值150亿元。

实施年限：不超过5年 拟支持项目数：1—2项

有关说明：企业牵头申报，其他经费与中央财政经费比例不低于3：1。

1.3.2 高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的

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应用示范

研究内容：研究基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术；开展3.3~6.5 kV碳化硅MOSFET器件设计仿真及制备工艺技术的研究；突破碳化硅器件高压封装关键技术，实现大容量碳化硅功率器件和模块；掌握SiC器件及模块测试检验全套技术；研制基于全碳化硅器件的电力电子变压器，并在柔性变电站中开展示范应用。

考核指标：碳化硅MOSFET芯片容量≥6.5 kV/25 A，模块容量≥6.5 kV/400 A；柔性变电站电压≥35 kV，容量≥5 MW。形成1~2件国家/行业标准。

预期成果：打造全产业链SiC技术研发平台和产业化基地，培养一批领军型创新创业人才，申请发明专利50项，发表论文25篇，带动行业新增产值150亿元。

实施年限：不超过5年 拟支持项目数：1—2项

有关说明：企业牵头申报，其他经费与中央财政经费比例不低于3：1。

1.4 高品质、全光谱半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术

1.4.1 高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件与灯具产业化制造技术

研究内容：研发基于蓝光LED激发多种荧光粉的全光谱白光

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半导体照明材料、器件、模组和灯具技术；研发蓝、绿、黄、红四基色半导体照明材料、器件、模组和灯具技术。

考核指标：在电流密度20 A/cm2注入下，蓝光（455±5nm）LED功率效率≥70%，泛绿光（490±5nm）LED功率效率≥55%，绿光（520±5nm）LED功率效率≥45%，黄光（570±5nm）LED功率效率≥25%，红光（625±5nm）LED功率效率≥55%，基于LED和荧光粉的全光谱白光显色指数≥90、流明效率≥110 lm/W。高显色指数灯具光效大于100 lm/W。形成1～2件国家/行业标准。

预期成果：申请发明专利50项，发表论文30篇，带动行业新增产值200亿元。

实施年限：不超过4年 拟支持项目数：1—2项

有关说明：企业牵头申报，其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。

1.4.2 高效大面积OLED照明器件制备的关键技术及生产示范

研究内容：研究适用于高亮度照明条件下的OLED新型材料和高效长寿命叠层器件结构；研究高亮度大面积条件下OLED电荷输运机制、激子复合机理、发光材料和器件界面的退化机理；研发大面积OLED照明器件制备的关键技术及应用。

考核指标：在1000 cd/m2条件下，OLED小面积器件光效≥200

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lm/W，显色指数≥80；100×100 mm2的白光OLED面板光效≥150 lm/W；显色指数≥90，半衰寿命>1万小时；建成1条OLED照明生产示范线。

预期成果：申请发明专利50项，发表论文30篇。 实施年限：不超过4年 拟支持项目数：1—2项

有关说明：其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。 1.5 第三代半导体固态紫外光源与紫外探测材料及器件关键技术

1.5.1 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术 研究内容：面向空气和水净化、生化监测和高密度存储等应用，研究高质量高Al组分AlGaN材料外延、高效n/p型掺杂和量子阱结构发光特性调控技术；研究AlGaN基深紫外LED芯片的结构设计、关键制备技术及出光模式，实现高光功率、低工作电压的有效方法；研究深紫外LED芯片的先进封装技术及关键材料，实现低热阻、高可靠性、高光提取效率的深紫外LED器件；研究AlGaN基紫外激光二极管的结构设计和关键制备技术。

考核指标：研制出发光波长<280 nm的深紫外LED，100 mA电流下光功率>30 mW；面向空气、水资源等净化应用，开发出3～5种深紫外光源模组、产品及应用示范；研制出波长<260 nm的电子束泵浦深紫外光源，输出功率>150 mW；实现UVB波段激

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