微机原理与接口技术-课后习题答案

⑤ 2

⑥（UV-）EPROM，Flash Memory ⑦ 58000H，5FFFFH，32KB ⑧ 32，4，64，8

⑨ 直接映射，组合相关映射，全相关映射，2路组合相关映射 ⑩ 00820000H，02000H 〔习题6.4〕

举例说明存储访问的局部性原理。 〔解答〕

处理器访问存储器时，无论是读取指令还是存取数据，所访问的存储单元在一段时间内都趋向于一个较小的连续区域中，这就是存储访问的局部性原理。

例如，求平均值的函数。

long mean(long d[], long num) {

long i,temp=0;

for(i=0; i

函数中的变量temp体现了时间局部，因为每次循环都要使用它。顺序访问数组d[]的各个元素（相邻存放在主存），体现了空间局部。循环体内的指令顺序存放，依次读取执行体现了空间局部；同时重复执行循环体，又体现了时间局部。 〔习题6.5〕

简述存储系统的层次结构及各层存储部件特点。 〔解答〕

为解决容量、速度和价格的矛盾，存储系统采用金字塔型层次结构，单位价格和速度自上而下逐层减少，容量自上而下逐层增加。

存储系统的各层存储部件自上而下依次是：CPU寄存器、高速缓存、主存存储器(RAM/ROM)，辅助存储器如磁盘、光盘等。CPU寄存器、高速缓存器集成在CPU芯片上，对用户来说，是透明的，它们用于暂存主存和处理器交互的数据，以减少频繁读取主存而影响处理器速度；主存储器则可和处理器直接交换数据，而辅助存储器必须经过主存存储器，才可与处理器进行数据交换。 〔习题6.6〕

在半导体存储器件中，什么是SRAM、DRAM和NVRAM？ 〔解答〕

SRAM是静态读写存储器芯片，它以触发器为基本存储单元，以其两种稳定状态表示逻辑0和逻辑1。

DRAM是动态读写存储器芯片，它以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态，需要不断刷新保持信息正确。

NVRAM多指带有后备电池的SRAM芯片，这种芯片采用CMOS制造工艺设计以减少用电。 〔习题6.7〕

SRAM芯片的片选信号有什么用途？对应读写控制的信号是什么？

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〔解答〕

片选信号CS：片选有效时，才可以对该芯片进行读/写操作；无效时，数据引脚呈现高阻状态、与系统数据总线隔离，并可降低内部功耗。

读控制信号OE：在芯片被选中的前提下，若OE有效，则芯片将允许地址信号选择的存储单元内的数据输出到数据引脚上。

写控制信号WE：在芯片被选中的前提下，若WE有效，则芯片将数据引脚上的数据写入地址信号选择的存储单元内。 〔习题6.8〕

DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？ 〔解答〕

DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。

存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。

刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。 〔习题6.9〕

什么是掩摸ROM、OTP-ROM、EPROM、EEPROM和Flash ROM？ 〔解答〕

掩膜ROM：通过掩膜工艺、将要保存的信息直接制作在芯片当中，以后再也不能更改。 OTP-ROM：该类芯片出厂时存储的信息为全“1”，允许用户进行一次性编程，此后便不能更改。

EPROM：一般指可用紫外光擦除、并可重复编程的ROM。

EEPROM：也常表达为E2PROM，其擦除和编程（即擦写）通过加电的方法来进行，可实现“在线编程”和“在应用编程”

Flash ROM：是一种新型的电擦除可编程ROM芯片，能够很快擦除整个芯片内容。 〔习题6.10〕

请给出教材图6-7中138译码器的所有译码输出引脚对应的地址范围。 〔解答〕

Y0～Y7的地址范围依次是：

E0000H～E3FFFH，E4000H～E7FFFH，E8000H～EBFFFH，EC000H～EFFFFH，F0000H～F3FFFH，F4000H～F7FFFH，F8000H～FBFFFH，FC000H～FFFFFH。 〔习题6.11〕

什么是存储器芯片的全译码和部分译码？各有什么特点？ 〔解答〕

全译码：使用全部系统地址总线进行译码。特点是地址唯一，一个存储单元只对应一个存储器地址（反之亦然），组成的存储系统其地址空间连续。

部分译码：只使用部分系统地址总线进行译码。其特点：有一个没有被使用的地址信号就有两种编码，这两个编码指向同一个存储单元，出现地址重复。

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