电源完整性仿真与EMC分析培训讲学

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图3－4

图3－4反映了阻抗在高频段逐步走高的趋势，这是一个较难解决的问题，因为以往的加旁路电容的方法在这里不能完全解决这类问题，为此，我们对PCB作了以下的改进工作：

a) 电容Fanout方式的正确选择，详细过程参见图1－7，考虑到公司的

工艺要求与实际PCB的密度，选择了第二种引线方式，同时将过孔孔径从12mil调整到16mil，尽量减小过孔电感。

b) 适当加一些ESR较低的NPO电容，在本板PI分析中，针对图3－4的

Z参数曲线，在IC芯片周围等关键点增加了60个1000pf的NPO电容，NPO和X7R的阻抗曲线比较如图3－5所示（未考虑引线），这两种AVX电容在公司库中均有代码，NPO的ESR值为0.065 ohm；X7R的ESR值为0.261 ohm。

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图3－5

c) 改进VCC1.8V平面层形状与结构；

移开BGA下的走线，在其它信号层的BGA下铺铜，由于该设计的特殊情况，VCC1.8V采用在SIG0与BOTTOM两层的铺铜来实现，不如VCC3.3和VCC2.5那样有完整的平面，因此，增加VCC1.8V与GND之间的平面耦合电容也是解决高频段阻抗问题的主要手段，如图3－6所示。

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图3－6

d) 在VCC1.8V与GND之间的铺铜层加地过孔，使各个BGA下的VCC1.8V

平面层贯通。

经过以上四步对PCB的改进过程，再将改进后的brd文件重新调入仿真，得到改进后的Z参数曲线如图3－7所示。

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图3－7

比较图3－4和图3－7可以看出，高频段Z参数曲线的逐步走高的现象得以解决，剩下的问题是解决高频段部分频率点的谐振问题，图3－7高频段Z参数曲线的放大图如图3－8所示。

图3－8

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