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图2
解:
(1) 相斥性微操作有如下五组:
移位器(R,L,V) ALU(+,-,M) A选通门的4个控制信号 B选通门的7个控制信号 寄存器的4个输入和输出控制信号 相容性微操作:
A选通门的任一信号与B选通门控制信号 B选通门的任一信号与A选通门控制信号 ALU的任一信号与加1控制信号
五组控制信号中组与组之间是相容性的
(2)每一小组的控制信号由于是相斥性的,故可以采用字段直接译码法,微指令格式如下:
a X X X 3
b X X X 3
c X X 2
d X X 2
e X 1
f X X X X 4
001 MDR→A 001 PC→B 01 + 01 R 1+1 0001 Pcout 010 R1→A 010 R1→B 10 - 10 L 0010 Pcin 011 R2→A 011 R1→B 11 M 11 V 0011 R1out 100 R3 →A 100 R2→B 0100 R1in
101 R2→B 0101 R2out 110 R3→B 0110 R2in 111 R3→B 0111 R3out 1000 R3in
11. CPU的地址总线16根(A15—A0,A0为低位),双向数据总线8根(D7—D0),控制总线中与主存有关的信号有MREQ(允许访存, 低电平有效),R/W(高电平为读命令,低电平为写命令)。主存地址空间分配如下:0—8191为系统程序区,由只读存储芯片组成;8192—32767为用户程序区;最后(最大地址)2K地址空间为系统程序工作区。上述地址为十进制,按字节编址。现有如下存储器芯片:EPROM:8K×8位(控制端仅有CS);SRAM:16K×1位,2K×8位,4K×8位,8K×8位.请从上述芯片中选择适当芯片设计该计算机主存储器,画出主存储器逻辑框图,注意画出选片逻辑(可选用门电路及3∶8译码器74LS138)与CPU 的连接,说明选哪些存储器芯片,选多少片。 解: 主存地址空间分布如图所示。
根据给定条件,选用EPROM:8K×8位芯片1片。SRAM:8K×8位芯片3片,2K×8位芯片1片。3∶8译码器仅用Y0,Y1,Y2,Y3和Y7输出端,且对最后的2K×8位芯片还需加门电路译码。主存储器的组成与CPU连接逻辑图如图所示:
详细解答:
1. 写出地址范围,划出高位地址
A15 A12 A0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第一片
0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0000-1FFFH 共8K 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第二片
0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2000-3FFFH 共8K 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第三片
0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 4000-5FFFH 共8K 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第四片
0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 6000-7FFFH 共8K
1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第五片
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 F800-FFFFH 共2K
所选芯片地址线有13和12条两种,则片内译码需13条,剩3条作片外译码,选择3-8译码器,将A15~13接译码器输入端,则:
? 芯片1的高位地址为000时,选译码器的Y0做CS。 ? 芯片2的高位地址为001时,选译码器的Y1做CS。 ? 芯片3的高位地址为010时,选译码器的Y2做CS。 ? 芯片4的高位地址为011时,选译码器的Y3做CS。
? 芯片5的高位地址为111时,选译码器的Y7以及A12 A11一起做/CS。
12. 设控制存储器的容量为512×48位,微程序可在整个控存空间实现转移,而控制微程序转移的条件共有4个(采用直接控制),微指令格式如下: 解:因为控制存储器共有512*48=29*48 所以,下址字段应有9位,微指令字长48位
又因为控制微程序转移的条件有4个,4+1<=23 所以判断测试字段占3位 因此控制字段位数为:48-9-3=36
微指令格式为:
13. 设CPU 共有16 根地址线和8 根数据线,并用作访存控制信号,
作读写命令信号(高电平读,低电平写)。设计一个容量为32KB,地址范围为0000H~7FFFH,且采用低位交叉编址的四体并行存储器。要求: (1)采用下图所列芯片,详细画出CPU 和存储芯片的连接图。 (2)指出图中每个存储芯片的容量及地址范围(用十六进制表示)。
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